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详解适用于服务器电源电路的TLVR电感器
考虑到上述诸多情况，TLVR 是目前应对低电压大电流应用中快速负载波动的主流电路配置。这种TLVR能使半导体处理器获得较高的瞬态响应性能，满足负载要求，同时降低电源损耗，而且可保持较小的输出电容值，从而减少安装面积和系统成本。
2023-11-04
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具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构
在AC-DC SMPS应用中，通常会在输入级使用功率桥式整流器，将交流电压转换为单向的直流电压。在这种拓扑结构中，还会使用大容量电容器作为纹波滤波器，来稳定总线电压，这会导致功率因数性能较差，并将谐波污染反馈到电网。为了改善功率因数和谐波电流，通常需要使用PFC电路。但额外增加一个功率级意味着会降低系统效率和可靠性。在本文中，我们提出了一种基于单电感结构的单级AC-DC拓扑结构，具备PFC和LLC功能。该拓扑结构保留了传统LLC谐振转换器的零电压开关（ZVS）优势，同时实现了高功率因数性能。
2023-10-27
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抑制SPE单对以太网干扰：想找好用的电感器，往这儿瞧！
想要实现数据驱动的智能制造，必须有高速而可靠的网络作为支撑，将以太网引入工业应用已经是大势所趋。
2023-10-26
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功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。
2023-10-22
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给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类器件具有超快的开关速度和较低的传导损耗，能够在各类应用中提高效率和功率密度。然而，与缓慢的旧技术相比，高电压和电流边缘速率与板寄生电容和电感的相互作用更大，可能产生不必要的感应电流和电压，导致效率降低，组件受到应力，影响可靠性。此外，由于现在SiC FET导通电阻通常以毫欧为单位进行测量，因此，PCB迹线电阻可能相当大，须谨慎降低以保持低系统传导损耗。
2023-10-21
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利用滤波电容和滤波电感抑制辐射EMI
抑制电磁干扰（EMI）最常见的方法之一是使用滤波电容和滤波电感。本文将讨论在双有源桥式变换器中这些滤波组件的阻抗特性及设计方法，并以此阐明二者对辐射 EMI的抑制作用。
2023-10-17
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科达嘉车规级一体成型电感VSHB-T系列如何实现低损耗、高可靠性？
电感是汽车电子DC/DC转换器的核心元器件之一， 如何开发高可靠性、高品质、能满足汽车部件需求的一体成型电感是当前业界关心的热点话题。面对传统一体成型电感产品损耗大、内部容易开裂与分层、线圈倾斜变形等难题，科达嘉电子推出了低损耗、高可靠、耐高温车规级一体成型电感VSHB-T系列。
2023-10-11
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关于反相降压－升压转换器的所有信息
基于电感器的开关模式电压转换是电路设计人员的一项基本技术。它使我们能够通过高效且紧凑的电路实现降压和升压调节，而不会在过程中引入过多的复杂性。
2023-10-07
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适用于热插拔应用的具有导通电阻的高效 MOSFET
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。
2023-09-24
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如何利用Charge Pump (电荷泵) 升压电路满足设计需求
大多数工程师都很熟悉可以将输出电压 (VOUT) 提升至高于输入电压 (VIN) 的升压变换器，也熟悉升降压变换器和单端原边电感变换器 (SEPIC)，它们可以确保 VOUT 根据接收设备的需求高于、低于或等于 VIN。
2023-09-13
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为开关稳压器选择正确类型的输出电容器
本系列之前的文章研究了降压开关稳压器的电气行为，提供了初始电感器尺寸的指导，并讨论了电感器电流和电感的微调。现在，借助 LTspice 仿真和下面的原理图（图 1），我们将探讨电容器特性与开关模式降压转换器性能之间的关系。
2023-08-31
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为降压开关稳压器选择电感器
本系列的上一篇文章介绍了如何为降压开关稳压器选择电感器值。本周，我们将仔细研究开关模式转换器中的电感器电流，并考虑增加或减少电路电感的潜在好处。
2023-08-27
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