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从硅到碳化硅,更高能效是功率器件始终的追求
随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起,在可预见的未来里,电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而,随着电气化在各行各业的渗透率不断提升,每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国,根据国家能源局发布的数据,2022年全社会用电量86,372亿千瓦时,同比增长3.6%;其中,高速发展的新能源汽车在整车制造方面,用电量大幅增长71.1%。
2023-10-09
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半导体功率器件的无铅回流焊
半导体器件与 PCB 的焊接历来使用锡/铅焊料,但根据环境法规的要求,越来越多地使用无铅焊料来消除铅。大多数适合这些应用的无铅焊料是具有较高熔点的锡/银合金,相应地具有较高的焊料回流温度。
2023-10-09
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多元融合高弹性电网初落地,电源和功率器件迎行业风口
每到盛夏,我国江浙沿海一带就会出现电力紧张问题。因此,“高温下保供电”便成为各地的主要方针。同时,随着新能源汽车渗透率提升,电能供应的挑战会越来越大。为了能够更好地解决供电难题,多元融合高弹性电网成为电力能源领域的热门概念,并已经得到了初步的落实。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驱动SiC MOSFET
碳化硅(SiC MOSFET)和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用,但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位?;?、精准的短路保护、可调的软关断等功能,为新一代的功率器件保驾护航。
2023-09-18
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如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法!
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET,带来最新宽带隙半导体技术的性能优势,以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装,由此增加了自动装配的便利性,同时减少了元件尺寸,并达成出色的热特性,在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半导体市场,如何才能成为头部玩家?
在功率电子领域,要论如今炙手可热的器件,SiC要说是第二,就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限,由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能,已经是大势所趋。
2023-09-15
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如何选择和开始使用功率器件驱动器
所有的分立式开关功率器件都需要驱动器,无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 还是??椤G魇窍低炒砥鞯牡偷缪?、低电流输出端与开关器件之间的接口元件或“桥梁”,前者在受控的良好环境中运行,而后者则在恶劣条件下工作,对电流、电压和定时有着严格的要求。
2023-09-14
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适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
随着设备变得越来越小,电源也需要跟上步伐。因此,当今的设计人员有一个优先目标:化单位体积的功率(W/mm 3)。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性,并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作,但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。
2023-08-21
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IGBT单管数据手册参数解析——下
IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半导体将于11月亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会
11月1日-3日,中国第三代半导体功率器件的领先品牌--派恩杰半导体将于广州保利世贸博览馆,亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会。
2023-07-31
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安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作, 协议总价值超10亿美元
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代码:ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner,纽约证交所股票代码:BWA),扩大碳化硅(SiC)方面的战略合作,协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来,双方已在广泛的产品领域开展战略合作,其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够显著提升功率变换器的性能,受到电源工程师的青睐。同时,极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求,稍有不慎就会得到错误结果。
2023-07-18
- 机构预警:DRAM价格压力恐持续至2027年,存储原厂加速扩产供应HBM
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