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通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in3。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器 IC（如EiceDRIVER?）在实现高性能方面发挥着重要作用。
2023-01-29
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通过蓝牙控制智能LED调光器
本应用笔记介绍了如何使用Dialog GreenPAK? SLG46620V创建智能数字调光器设计。调光器是住宅、酒店和许多建筑中常用的照明开关。较旧版本的调光开关是手动的，一般包含一个旋转开关（电位计）或多个按钮来控制照明水平。本应用笔记介绍了如何创建可以通过两种方法（智能手机和物理按钮）控制照明亮度的数字调光器。
2023-01-20
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最大限度地减少音频系统中模拟开关的总谐波失真
模拟开关通常用于音频系统中，以切换低电平输入或调整音频滤波器特性。选择合适的模拟开关有助于在设计人员的成本预算范围内优化系统的总谐波失真（THD）。
2023-01-19
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双电源开关工作原理
确切的来说双电源开关备用电源要是一直是处于通电的状态下的话，我们可以称之它为热备用，通常是使用在比较重要的用户上。再有就是当备用电源所采用了发动机延时发电，那么这个时候的双电源开关就会起到应有的作用，它会立即的做出切断市电电路动作，同时还会为发电机发电做好通路准备。
2023-01-18
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详解：大电流MOSFET的门极驱动峰值电流的计算方法
大电流MOSFET的使用广泛，它们的导通电阻低，电流能力较大，适合在各种开关电源中应用，在具体的器件驱动电路设计中，需要注意其门极电容较大，适合的门极驱动器需要有足够的电流，去将门极电容充电，从而使电压达到Vth，进而在系统允许的时间内去完全导通。
2023-01-17
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直流系统性能劣化导致基站瞬断的解决方案
本文针对现网宏蜂窝基站部分老旧开关电源下电和恢复电压参数设置受限，当配套的蓄电池组性能劣化时，会导致在交流停电后，开关电源反复给设备供断电，引起基站频繁瞬断的情况，考虑在直流供电系统中引入独立的供断电判断机制，经过实验，成功解决了此类基站的瞬断问题。
2023-01-17
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在栅极驱动器IC方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3 kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in3。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器 IC（如EiceDRIVER?）在实现高性能方面发挥着重要作用。
2023-01-16
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电感饱和与开关电源之间的密切关系（中）
在【精选知识讲堂】丨电感饱和与开关电源之间的密切关系，这篇讲透了！(上篇）中，我们揭示了电感饱和与开关电源之间的亲密关系，并从开关电源的控制模式开始，用各种数学方法分析了功率电感器饱和对开关模式电源控制运行的影响。
2023-01-16
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低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念，与典型1200V技术相比，新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率?？榈挠τ媒峁陀呕肪丁５靡嬗诰呕墓β誓？樯杓坪筒捎?50V技术，近期推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V ANPC拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。
2023-01-16
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高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南
本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。
2023-01-13
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有源钳位技术解析
在风电、光伏、新能源汽车、工业变频等大功率应用场合，主电路中母线电容到功率器件间存在较大杂散电感 (几十到几百nH)。功率器件在关断时，由于杂散电感Ls的存在，通过Ls*di/dt感应产生浪涌电压，此感应高电压与前端母线电容电压方向一致，因此功率器件两端叠加的电压尖峰会超过母线电压，在过流或短路发生时甚至可能会超过功率器件的耐受电压而导致损坏。功率器件?；し绞接蠷C吸收回路、软开关以及饱和压降检测限流等，其中RC吸收回路具有以牺牲回路效率为代价，同时可能带来吸收回路温度过高的风险。有源钳位可以直接加在驱动回路里面，通过延缓驱动关断来吸收浪涌能量，能够有效减小尖峰电压起到?；ぷ饔?，因此有源钳位方案具有占用面积小、成本低、响应速度快、可靠性高等优点。
2023-01-13
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晶圆级封装Bump制造工艺关键点解析
射频前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模组国内外手机终端中广泛应用。它将功率放大器（PA，Power Amplifier）、开关（Switch）、低噪声放大器LNA（Low Noise Amplifier）、滤波器（Filter）、无源器件等集成为一个模组，从而提高性能，并减小封装体积。然而，受限于国外专利以及设计水平等因素，国产滤波器的份额相当低。
2023-01-13
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