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MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。
2024-06-08
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超结MOS在全桥电路上的应用
全桥电路广泛应用于电力电子领域，如开关电源、变频器、逆变器、电动汽车、工业自动化等领域 。在电路中，全桥电路可以使直流电转换成交流电；在电机控制中，全桥电路可用于变频调速和正弦波控制。
2024-06-03
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RSC6218A LLC谐振电源案例分享
开关电源的开关特性会使电源的MOS与变压器产生电磁兼容方面的干扰，优秀的PCB Layout可以解决电磁兼容问题，同时也可有效避免干扰源的扩大；如图结合实例说明RSC6218A系列LLC谐振电源方案PCB的设计要点，提升LLC谐振方案的稳定性。
2024-05-16
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如何利用SCR轻松驱动AC/DC转换器启动？
过去十年，新装服务器的市场需求增长迅猛，2015到2022年复合年均增长率达到了11%。拉动市场增长的动力主要来自以下几个方面：首先，个人文件无纸化和企业办公数字化进程加快；其次，全球健康?；诩涞木蛹野旃?，新媒体平台融入个人生活，致使屏幕使用时间大幅增加；最后，随着人工智能的兴起和普及，这个市场将继续保持高速增长。在这个背景下，给服务器设计开关电源殊为不易，主要是处理高热耗散问题，以及降低这种大型可扩展设备的维修成本，这是摆在电源开发者面前的两大难题。
2024-05-11
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Buck与Buck-Boost在小家电辅助电源中的应用
在ACDC电源中，输入电压一般是来自电网的85V-265V交流高压，而输出电压则是3.3V、5V、12V等直流低压，因此需要开关电源来实现降压。开关电源有Buck、Boost和Buck-Boost三大经典拓扑，其中Buck与Buck-Boost均可实现降压功能。Synergy世辉是世健旗下子公司，拥有丰富的行业经验与专业的技术实力，世辉公司电源与新能源事业部FAE结合自身经验，针对小家电的辅助电源应用中该如何选择拓扑电路以及相关产品，展开详细介绍。
2024-04-25
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电源工程师必看，离线开关电源 (SMPS) 系统设计保姆级教程
离线开关电源 (SMPS) 是根据终端负载将电网电源转换为直流电源的经典产品。通常，这种开关电源包含两个转换级，为了实现更高的效率，需要采用性能更好的电源开关或实施不同的控制策略。此外，根据具体情况选择更合适的拓扑也很重要。本系统方案指南将介绍有关离线 SMPS 的基础知识，以及安森美 (onsemi)的精选产品和解决方案。本文为第一部分，将重点介绍系统用途、系统实现、系统描述、市场信息和趋势。
2024-04-11
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如何最大程度降低开关电源中的寄生参数
开关模式电源（开关电源）因其高效性和灵活性而广受欢迎。但它们也带来了挑战，因为其应用已经延伸到新的领域。最明显的是，其高频切换会对系统的其他部分产生电磁干扰 (EMI)。此外，导致 EMI 的因素同样也会降低效率，从而削弱开关电源关键的能效优势。
2024-03-20
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LLC拓扑结构设计要点：如何在更低负载下进入打嗝模式？
在ACDC开关电源设计过程中，当需要实现高效率设计需求时，工程师往往会考虑LLC谐振半桥拓扑结构。LLC拓扑结构可以实现软开关，因此在开关电源设计尤其是在大功率的开关电源设计过程中往往具有优势。目前市面上经?？梢钥吹降腘CP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓扑结构控制芯片家族的代表成员。
2024-02-20
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高压MOS在适配器产品上的应用
电源适配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流输入转换为直流输出）的开关电源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、电阻电容、磁性材料、DC 线、外壳等元器件及部件组成，通过整流、变压和稳压等转换形式，为电子设备等提供所需要的电能形态。
2024-01-10
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LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
在ACDC开关电源设计过程中，当需要实现高效率设计需求时，工程师往往会考虑LLC谐振半桥拓扑结构。LLC拓扑结构可以实现软开关，因此在开关电源设计尤其是在大功率的开关电源设计过程中往往具有优势。目前市面上经?？梢钥吹降腘CP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓扑结构控制芯片家族的代表成员。
2023-12-22
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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。
2023-11-12
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