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pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案

假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。

2023-11-22

如何赋能新一代宽带隙半导体？这三类隔离栅极驱动器了解一下~

在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统。

2023-11-21

SiC MOSFET 器件特性知多少？

对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。

2023-11-12

能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT?？?/a>

通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统

电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。

2023-11-10

用于离线电源的开关 IC

本应用笔记适用于使用 LinkSwitch-II 系列器件设计隔离式 AC-DC 反激式电源的工程师。它提供了指导原则，使工程师能够快速选择关键组件并完成合适的变压器设计。为了简化任务，本应用笔记直接引用了 PIXls 设计电子表格，它是 PI Expert? 设计软件套件的一部分。

2023-11-04

PI技术经理Jason Yan：1250V氮化镓开关IC是一个重要的里程碑

Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC前不久，集邦咨询发布2022年氮化镓（GaN）主要厂商出货量排名，数据显示Power Integrations（PI）以20%的市占率在2022年全球GaN功率半导体市场排名第一。这与PI的GaN发展策略和产品布局不无关系。

2023-11-04

具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构

在AC-DC SMPS应用中，通常会在输入级使用功率桥式整流器，将交流电压转换为单向的直流电压。在这种拓扑结构中，还会使用大容量电容器作为纹波滤波器，来稳定总线电压，这会导致功率因数性能较差，并将谐波污染反馈到电网。为了改善功率因数和谐波电流，通常需要使用PFC电路。但额外增加一个功率级意味着会降低系统效率和可靠性。在本文中，我们提出了一种基于单电感结构的单级AC-DC拓扑结构，具备PFC和LLC功能。该拓扑结构保留了传统LLC谐振转换器的零电压开关（ZVS）优势，同时实现了高功率因数性能。

2023-10-27

电压模式R－2R DAC的工作原理和特性

首先，我们将简要回顾一下开尔文分压器DAC。这种结构很简单，但它们需要大量的电阻和开关来实现高分辨率DAC。这个问题的一个解决方案是称为R-2R DAC的DAC结构。这些结构巧妙地利用梯形网络来实现电阻较少的DAC。

2023-10-25

IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计

本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。

2023-10-25

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项

本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。

2023-10-22

贸泽联手Vishay推出全新电子书，探讨支持新一代工业4.0的技术和元件

Vishay和贸泽深入探讨了为全球工厂带来变革的自动化浪潮，以及这种浪潮背后起到支持作用的关键解决方案。本电子书收录了四篇详细的专题文章，介绍了支持新一代工业应用的数字元件，此外还包含一张展望未来工业5.0的实用信息图。书中文章的主题包括物联网 (IoT) 传感器、电子开关、光学控制面板和GaN DC-DC转换器中的电流检测解决方案。

2023-10-22