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意法半导体突破20纳米技术节点,提升新一代微控制器的成本竞争力
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺,支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发,使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃,同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设?;谛录际醯南乱淮?STM32 微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片,2025 年下半年排产。
2024-03-26
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主流供应商专家共话智能手机差异化创新设计
2013年将进入LTE智能手机开发高峰期,预计英特尔、高通、英飞凌和ST- Ericsson将成为主要的LTE平台解决方案供应商,相变存储器和SSD将成为LTE智能手机的主流存储解决方案。该如何选择和利用这些平台开发出有独特卖点的差异化产品? ST-Ericsson和Micron等主流供应商专家,将于12月15日下午在第四届智能手机设计工作坊上,从平台、芯片组、存储器、电源管理和测试方面深度分析移动互联下智能手机创新的差异化解决方案。
2012-12-04
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相变存储器及其工作原理
相变存储器及其工作原理
2012-11-01
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