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不同功率器件在充电桩三相LLC拓扑中的应用探讨
近年来新能源汽车发展迅速，对充电桩也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC变换器技术的30千瓦功率?？榈ピ阅芨牛梢月阆钟械氖谐⌒枨?。基于30千瓦三相LLC变换器常见的母线电压等级800V，对于650V和1200V器件存在两种不同的拓扑方案。文章针对这两类拓扑进行参数设计，选取三种功率器件方案：
2022-12-13
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如何利用表面贴装功率器件提高大功率电动汽车电池的充电能力
终端用户希望新的电动汽车设计能够最大限度地减少车辆的空闲时间，尤其是在长途驾驶中。电动汽车设计人员需要提高充电器的功率输出、功率密度和效率，以实现终端用户期望的快速充电。目前，单个单元充电器的设计范围是从7千瓦到30千瓦。将单个单元元件组合到?？榛杓浦锌梢栽黾庸β适涑觯镏涞缙髦圃焐淌迪终嫉孛婊?、灵活性更高和可扩展性的目标。对有源功率元件使用先进的隔离封装，可实现更高的功率密度并显著减少电路设计中的热管理工作，从而解决大功率充电的挑战。
2022-12-13
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提高功率器件动态参数测试效率的7个方法
对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的，也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的，一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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通过利用电化学诊断技术分析传感器的健康状况
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半导体高压MOS在开关电源中的应用
开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。
2022-11-10
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IGBT单管数据手册参数解析（上）
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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这些功率器件撑起3,000亿特高压建设
新能源是支撑国家可持续发展的关键，随着“碳达峰”和“碳中和”目标的提出，中国新能源产业发展将再次提速。但新能源产业发展面临的一个关键问题是发电与用电区域不均衡，风电、太阳能和水电等可再生能源主要集中在西部和西北部，用电则主要集中在中东部。并且风电和太阳能（光伏）等发电方式波动性较大，在新能源布局较多的西北部地区，由于用电负荷低于发电量，造成了较高比例的“弃风”、“弃光”现象。
2022-10-31
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庖丁解?？?span id="5n233hq" class='red'>功率器件双脉冲测试平台
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全，可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。
2022-10-31
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高集成度功率电路的热设计挑战
目前随着科学技术和制造工艺的不断发展进步，半导体技术的发展日新月异。对于功率半导体器件而言，其制造工艺也同样是从平面工艺演变到沟槽工艺，功率密度越来越高。目前功率半导体器件不仅是单一的开关型器件如IGBT或MOSFET器件类型，也增加了如智能功率?？镮PM等混合型功率器件类型。在IPM?？橹屑燃捎?span id="5n233hq" class='red'>功率器件，还集成了驱动器和控制电路IC，这样的功率半导体器件具有更高的集成度。这种混合集成型的功率半导体器件其封装结构和传统的单一功率半导体器件有一定的区别，因此其散热设计和热传播方式也有别于传统的功率半导体器件，会给使用者带来更大的热设计挑战。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作为目前碳化硅MOSFET型号最丰富的国产厂商派恩杰，不仅在功率器件性能上达到国际一流厂商水平，在AC BTI可靠性上更是超越国际一流厂商。总裁黄兴博士用高性能和高可靠性的产品证明派恩杰是国产碳化硅功率器件的佼佼者，展现了超高的碳化硅设计能力和工艺水平。
2022-10-19
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除了氮化镓，快充技术还须关注哪些领域？
硅材料制作的功率器件，也被称为第一代半导体，而砷化镓（GaAs）等材料制作的功率器件，则被成为第二代半导体，第二代半导体在高频性能上优于硅器件，通常用于射频应用。
2022-10-13
- 机构预警：DRAM价格压力恐持续至2027年，存储原厂加速扩产供应HBM
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