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开关模式电源问题分析及其纠正措施：电感器不符合规格要求

本文是系列文章中的第一篇，该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案。本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题，重点分析电感问题。设计人员为了获得各种优势，例如减少输出纹波和尽量缩减解决方案尺寸，往往会选择超出推荐范围的电感值。

2024-08-13

低边开关的最大电流和可输出的最大输出电流

对于降压型DC-DC转换器而言，低边开关的最大电流开关能力是非常重要的参数。例如，开关容量为1A的产品，需要能够承受高达1A的电感峰值电流。但是，这是输入端的电流驱动能力，升压后的最终输出电流取决于升压比和转换效率，会大幅下降。

2024-07-26

开关功率晶体管的选择和正确操作

当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。

2024-07-25

基于热性能的NIS(V)3071 PCB设计考虑因素

单片电子保险丝（eFuse）NIS(V)3071能够提供高达10 A 连续电流，在设计它的PCB时热性能是重要的考量因素，在设计PCB热特性时，需要考虑eFuse的两种工作模式：软开关开通阶段和稳定工作状态。在软开关开通阶段，eFuse的短期功率耗散可达几十瓦，而稳定工作状态时则可能为几瓦。本文将通过比较四层和两层PCB，说明使用多层PCB为器件散热带来的性能优势。

2024-07-18

电感和升压比对最大输出电流的影响

在上一个主题中，我们假设电感纹波电流是最大输入电流的30%，但电感纹波电流的值会受开关频率、电感值、输入电压和输出电压（严格地讲，还取决于是二极管整流还是同步整流）的影响。下面我们根据所使用的器件和使用条件来计算一下电感纹波电流的值。要想使计算准确，就需要考虑到器件精度、各种导通损耗、压降损耗等因素，不过这次我们会在没有器件误差、没有损耗的理想状态下进行估算。

2024-07-12

将直流电转换为交流电：逆变器的基本原理

传统上，直流电源转换是通过电动发电机组实现的，其中使用直流电源运行的电机直接转动发电机以产生所需的交流电源。与此相反，驱动直流发电机的交流电机称为转换器，因此当应用于直流到交流发电机组时，名称为逆变器，该名称被保留下来。另一种版本使用安装在真空管中的机械开关机构，该机制以适当的间隔切换直流电的极性。

2024-07-12

功率器件?？椋阂恢致?EMI 规范的捷径

相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通?；岵夹?EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态?？⒐刈刺浔浠岵?dv/dt 和 di/dt，从而在开关频率的谐波频率上产生 EMI。

2024-07-08

电源PCB电感安放指南

用于电压转换的开关稳压器通常使用电感来临时存储能量，这些电感的尺寸通常非常大，必须在开关稳压器的印刷电路板(PCB)布局中为其安排位置。这项任务并不难，因为通过电感的电流可能会变化，但并非瞬间变化，可能是连续的，通常相对缓慢。

2024-07-03

一文了解SiC MOS的应用

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。

2024-06-20

直流式固态继电器的工作原理和电路图

直流式固态继电器是一种集成了无触点的半导体开关和驱动电路的电子开关装置。它通过低能耗信号来控制直流电路，实现电路中电流的开关控制。

2024-06-19

SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？

开关电源是以功率MOS为核心的电能变换器，除了芯片自身的参数会对电能质量产生较大影响外，PCB的设计也是非常重要。

2024-06-19

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