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漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。
2020-04-08
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详解ROM的结构、特点及其分类
只读存储器(ROM)是一种半导体集成电路的功能作为数据和计算机编程的永久存储设备。
2020-03-10
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贸泽与兆易创新签署全球分销协议,备货多款高性能存储器产品
2020年2月27日 – 专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与知名的非易失性存储器解决方案供应商兆易创新 (GigaDevice) 签署全球分销协议并达成合作伙伴关系。签署此项协议后,贸泽电子现已成为兆易创新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash产品的授权分销商,这些器件适用于汽车、消费电子、物联网 (IoT)、工业、移动设备、计算、网络和通信等嵌入式应用。
2020-02-28
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硅3D集成技术的新挑战与新机遇
从低密度的后通孔TSV硅3D集成技术,到高密度的引线混合键合或3D VSLI CoolCubeTM解决方案,研究人员发现许多开发新产品的机会。本文概述了当前新兴的硅3D集成技术,讨论了图像传感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存储器和布局先进逻辑电路的硅中介层,围绕3D平台性能评估,重点介绍硅3D封装的主要挑战和技术发展。
2020-01-13
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如何利用铁电存储器提高汽车应用的可靠性?
非易失性存储器 (NVM) 在几乎所有嵌入式系统设计中都起着关键作用,但许多设计对非易失性存储器在数据写入和访问速度、数据保留、低功耗等方面的要求越来越严格。
2019-10-21
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Xperi:混合键合技术赋能3D堆叠应用,从图像传感器到存储器和高性能计算
3D堆叠技术凭借更高的性能、更低的功耗和更小的占位面积的优势,正成为高端应用和成像应用的新标准?!?.5D/3D硅通孔(TSV)和晶圆级堆叠技术及市场-2019版》报告作者、Yole先进封装技术和市场分析师Mario Ibrahim,近日有幸采访了Xperi公司3D互联和封装研发副总裁Paul Enquist。
2019-03-15
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电路去耦太重要,这篇文章讲透了
诸如放大器和转换器等模拟集成电路具有至少两个或两个以上电源引脚。对于单电源器件,其中一个引脚通常连接到地。如ADC和DAC等混合信号器件可以具有模拟和数字电源电压以及I/O电压。像FPGA这样的数字IC还可以具有多个电源电压,例如内核电压、存储器电压和I/O电压。
2019-01-08
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CMOS图像传感器的3D堆叠技术
为了加速影像数据处理, 业界研发了在互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器中配备嵌入式动态随机存取存储器(DRAM),推出了配备DRAM的三层堆叠式CMOS影像传感器,SONY是最早发布这一产品的厂家,这款型号为IMX400的三层堆叠式感光元件(Exmor RS)是专为智能手机而打造的。
2018-06-26
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电容器自诊断
电解电容器是种很不可靠的电子元件。其中一种失效是逐渐失去容量,这在电源故障发生之前几乎察觉不到。因此,如果可以监测电子设备滤波电容器的状况,将很有价值。本文中的设计方案可用来监控掉电期间的电容电压,并将超出规格的状态记录到NVRAM/EEPROM存储器中。
2018-05-29
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东芝分享:手机浪潮过后,哪些芯片需求会暴涨?
与PC时代不同,目前移动通信大潮席卷业界,手机主宰了半导体产业链,从2017年开始,手机用元器件的供需直接影响整个电子产业链,手机里的存储器件、CMOS传感器等吃掉了大部分晶圆产能,导致其他领域元器件供应短缺,让很多业者饱受缺货之苦,但手机时代终将会跟PC一样成为过去,手机浪潮过后,哪些芯片需求会暴涨呢?我们看看东芝公司带来的分析。
2018-05-18
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一文看懂数字射频存储器DRFM的框图及其功能
数字射频存储器(DRFM)是一种微波信号存储系统,用于实现射频信号存储及转发功能。数字射频存储器通过对接收到的射频信号进行高速采样、存储、变换处理和重构,实现对信号捕获和保存的高速性、干扰技术的多样性和控制的灵活性。数字射频存储器已成为电子对抗系统中的关键组成部分。
2018-04-20
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无天线技术离我们有多远?
无天线技术的原理是使用一种名为天线增强器的现成标准化微型部件,来替代复杂的定制化天线设计。天线增强器本身即为芯片状,采取表面贴装,从而能够像其它电子元件(如微处理器、存储器、放大器、滤波器或开关)一样完美契合印制电路板。它还能与传统贴片机相结合,使得下一代IoT/移动或无线设备的设计和制造过程更加简单、快速且高效。
2018-03-16
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