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ST 新款微型单片降压转换器，用于智能电表、家电和工业电源转换器提供低电压电源
意法半导体新款微型单片降压转换器DCP3601集成大量的功能，具有更高的设计灵活性，可以简化应用设计，降低物料清单成本。这款芯片内置功率开关与补偿电路，构建完整的输出电压设置电路，仅需电感器、自举电容、滤波电容、反馈电阻等6个外部元件。
2025-03-05
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基于 MHz 开关频率的器件助力实现 DC-DC 转换器和 EMI 滤波器的小型化
对于 DC-DC 电源转换器而言，使系统小型化并提高整体功率密度的一种显著方法是通过更高频率的开关。然而，尽管开关频率超过 1.3 MHz 的系统具有潜在优势，但迫于技术挑战，许多设计人员直到现在仍在使用较低的频率，例如 100 kHz 或更低……。阅读本文了解使用高密度电源模块进行设计如何改变这一现状。
2025-03-04
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STSPIN32G0上新两款低压产品，design win见证卓越
意法半导体 (ST) 的STSPIN32系列产品集成了MCU与功率开关管栅极驱动器，不仅节省了成本，还简化了设计流程，整个系统的体积最多可缩小65%，这些特性让它在市场上脱颖而出备受青睐。
2025-02-27
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硅基功率开关已经转向GaN开关了吗？
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常?；嵛实溃合衷谟Ω么庸杌β?span id="5n233hq" class='red'>开关转向GaN开关了吗？
2025-02-26
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自动测试设备应用中PhotoMOS开关的替代方案
人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，芯片设计因此变得更加复杂。自动测试设备(ATE)厂商是验证这些芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。
2025-02-23
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。
2025-02-20
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设计高压SIC的电池断开开关
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路?；ぬ岣咂淇煽啃院偷?。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要考虑一些基本的设计决策。关键因素包括半导体技术，设备类型，热包装，设备坚固性以及在电路中断期间管理电感能量。本文讨论了选择功率半导体技术的设计注意事项，并为高压，高电流电池断开开关定义了半导体包装，以及表征系统寄生电感和过度流动?；は拗频闹匾浴?/p>
2025-02-16
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低压电源MOSFET设计
低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设备打开时，低压MOSFET的排水源电阻特别低，从而地减少了功率损耗。这对于效率至关重要，因为低RD（ON）意味着在传导过程中降低电阻损失高开关速度，用于快速切换操作；在DC-DC转换器和高频切换电路等应用中至关重要。
2025-02-14
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迎刃而解——华大九天Polas利器应对功率设计挑战
电源管理集成电路（PMIC）设计涉及电源转换、电压调节、电流管理等核心领域。随着技术节点的演进，功率器件面临着更大的电压差、更高的电流密度以及更为严苛的功率/热耗散要求；金属互联层的电阻在整体导通电阻中的占比越来越大；异形大金属图层以及功率器件拆分方式对参数提取的准确性造成了影响；封装对芯片内电气特性的影响亦愈发显著。这些因素共同对功率设计在电迁移（EM）、热性能（Thermal）和导通电阻（RDSon）等可靠性方面带来了新的挑战。此外，如何高效地驱动具有较大有效栅极宽度的PowerMOS，以及如何防止上下管开关切换过程中的穿通漏电现象，也成为功率设计领域的核心难题。
2025-02-13
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无需专用隔离反馈回路的简洁反激式控制器设计
传统的隔离型反激式转换器的架构中，转换器的功率等级通?？纱?0W左右，通过调整变压器的匝数比，借助原边开关和可以将电源电压转换为输出电压。有关输出电压的信息会通过反馈路径传输到原边的PWM发生器，以使该输出电压尽可能保持稳定。如果输出电压太高或太低，则将调整PWM发生器的占空比。
2025-02-12
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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
2025-01-26
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
- 成本与性能的平衡：振荡线圈技术深度解析与选型建议
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