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SRII推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
2022-01-26
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主控芯片CPU/FPGA存储及单粒子翻转科普
每一次神舟载人飞船和SpaceX卫星的发射升空，都能吸引众多人关注。对于这些神秘的航天飞信器，你知道它们的信息都是怎么处理的吗？航天飞行器信息的处理依靠CPU/FPGA，而指令的执行则凭借存储器。目前市场上大多数售卖主芯片的厂商都是靠存储器起家的。
2022-01-25
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如何设计汽车信息娱乐系统电源方案一体化高压控制器？
汽车信息娱乐系统中包含各种复杂的电子元件组合，例如消费电子元件：高性能微控制器、存储器、接口和驱动器IC。电源设计也同样复杂，因为每个元件都可能需要各种具有宽范围功率要求的低电压电源轨。这样的复杂性不仅局限于信息娱乐系统，汽车性能、燃油效率和驾驶员操控的便捷性都需要更加先进的电子系统来实现。
2022-01-12
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高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图
随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。
2022-01-10
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半导体存储器的发展历程与当前挑战
世界上最早的全电子化存储器是1947年在曼彻斯特大学诞生的威廉姆斯-基尔伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。从那时起，计算机内存开始使用磁存储技术并经历了数代演变，相关系统包括磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。
2021-10-14
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AIoT碎片应用和算力撬动新机遇，兆易创新多元化存储布局背后逻辑揭秘
在人脑中，海马体负责记忆相关的重要功能。类似的，在电子系统中，扮演“海马体”角色的则是存储器。作为半导体元器件中不可或缺的组成部分，存储器与数据相伴而生，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品。数据显示，2020年全球存储器收入增加135亿美元，占2020年整个半导体市场收入增长的44%。
2021-08-13
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首届ES SHOW电子展开展在即，主办方揭秘三大亮点 ！
伴随着人工智能、5G、物联网技术等新一代电子信息技术的高速发展，市场对半导体、元器件及信息技术应用的需求也随之增多，集成电路、芯片、存储器等产品成为新的国民经济增长点。
2021-06-24
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无传感器无刷直流电机控制电路分析
Z16FMC 的外部接口允许无缝连接到外部存储器和外围设备。24 位地址总线和可选的 8 位或 16 位数据总线允许并行访问高达 16 MB。CPU 可访问高达 128 kB 的内部闪存，每次 16 位，以提高处理器吞吐量。高达 4 kB 的内部 RAM 可用于存储数据、变量和堆栈操作。
2021-06-23
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兆易创新持续打造丰富行业应用方案，亮相2021慕尼黑上海电子展
中国北京（2021年4月14日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 精彩亮相2021慕尼黑上海电子展，重磅展示基于存储器、MCU和传感器三大核心产品线的完善解决方案，覆盖工业、汽车、计算、物联网、消费电子、移动应用等多个领域，彰显兆易创新在半导体领域丰富的产品家族、广泛的行业布局与领先的技术实力。
2021-04-14
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由MOVX指令深入分析51单片机总线时序及扩展
分析了MCS单片机" title="51单片机" target="_blank">51单片机访问外部存储器指令MOVX的执行过程，介绍了51系列单片机使用的四要素；分析了51单片机在外部扩展、总线时序、地址译码方法重点以及对超过64 KB地址空间访问的方法。并以实验室研制的MCS51单片机实验仪为例，分析了外部空间开展的重要性、方法和原理，给出了单片机系统扩展框图和地址译码表。
2021-02-20
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针对低功耗应用的非易失性电阻式RAM技术
不久前，Dialog半导体公司与格芯（GLOBALFOUNDRIES）签订了协议，向其授权导电桥式随机存取存储器（Conductive Bridging RAM；CBRAM）技术。CBRAM属于通用的存储器技术，应用范围非常广，从可穿戴设备到智能手机等。其性能优势主要体现在低功耗。
2021-02-01
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什么是铁电存储器？
随着我们进入超智能和超互联的第四次工业革命时代，高密度和高性能存储器的重要性比以往任何时候都更大。目前应用最广泛的NAND闪存由于依赖电荷陷阱效应存储信息，存在功耗高、运行速度慢、易重复使用等问题。为此，POSTECH的一个研究小组最近展示了一种铁电存储器，它在运行速度、功耗和设备可靠性方面都超过了传统闪存的性能。
2021-01-21
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