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异构集成时代半导体封装技术的价值
随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到“封装工艺”的重要性。 顺应发展潮流，SK海力士为了量产基于HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）的先进封装产品和开发下一代封装技术，尽力确保生产线投资与资源。一些曾经专注于半导体存储器制造技术的企业也纷纷布局封装技术领域，其投资力度甚至超过专攻此类技术的OSAT1（外包半导体组装和测试）公司。这是因为，越来越多的企业深信封装技术将会成为半导体行业及企业未来的核心竞争力。
2023-02-10
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瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市场
存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以FeRAM（铁电存储）和ReRAM（电阻式存储）为代表的新型存储器市场增速最快，将从5亿美元增长到40亿美元，年复合增长率达到42%，发展潜力巨大。
2023-02-06
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PCIe结构和RAID如何在GPUDirect存储中释放全部潜能
随着更快的图形处理单元（GPU）能够提供明显更高的计算能力，存储设备和GPU存储器之间的数据路径瓶颈已经无法实现最佳应用性能。NVIDIA的Magnum IO GPUDirect存储解决方案通过在存储设备和GPU存储器之间实现直接路径，可以极大地帮助解决该问题。
2023-01-06
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2022中国（深圳）集成电路峰会圆满落下帷幕
“2022中国（深圳）集成电路峰会”(简称ICS2022峰会)于12月29日和30日成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛二个主论坛，以及六场专题论坛，包括集成电路设计创新论坛、芯火平台产教融合创新发展论坛、半导体供应链发展论坛、集成电路产业融合论坛、珞珈聚芯协同创新论坛和国微 EDA 生态建设论坛。专业观众与行业专家和行业领导可广泛讨论了技术、产品、市场、投资、产学研商合作、国际环境对策、人才战略和务实的技术创新路线。
2023-01-01
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为什么FeFET变得如此有趣？
随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。铁电材料可以提供非易失性存储器，填补 DRAM 和闪存之间的重要功能空白。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的 2D 沟道是最近 IEEE 电子设备会议的两个亮点。
2022-12-30
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集成电路峰会首日内容精彩： 成熟技术创新，供应链安全，补人才短板，半脱钩下策略发展
今天，深圳坪山格兰云天大酒店分外热闹，来宾欢聚一堂，观众与嘉宾互动，成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛。它们是“2022 中国（深圳）集成电路峰会”的二个主论坛，围绕“创新强链，双驱发展”主题，产学研政商企业代表齐聚一堂，行业头部企业家，芯片供需方特色代表，多位院士，教授，行业分析师，政府官员和行业协会负责人发表主旨讲演。今天的互动内容，论今天，论明天，总结过去，给与会代表四个行动指导思想。“把脉行业务实产品创新，分析国际环境半脱钩有对策，掌握市场数据促进供应链安全发展，展望未来人才短缺是共识”。
2022-12-29
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提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架构显示出多项优势）
近年来随着高性能计算需求的持续增长，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）总线接口被应用到越来越多的芯片产品中，然而HBM的layout实现完全不同于传统的Package/PCB设计，其基于2.5D interposer的设计中，由于interposer各层厚度非常薄且信号线细，使得直流损耗、容性负载、容性/感性耦合等问题严重，给串扰和插损指标带来了非常大的挑战。
2022-12-08
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如何加速HBM仿真迭代优化？
近年来随着高性能计算需求的持续增长，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）总线接口被应用到越来越多的芯片产品中，然而HBM的layout实现完全不同于传统的Package/PCB设计，其基于2.5D interposer的设计中，由于interposer各层厚度非常薄且信号线细，使得直流损耗、容性负载、容性/感性耦合等问题严重，给串扰和插损指标带来了非常大的挑战。
2022-12-07
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15种不同输出电流配置，工业应用的电源转换器设计都给你想全了
当今的工业电子系统包含了许多与消费电子产品相同的组件，如微控制器、FPGA、片上系统 ASIC 及其他电子器件，因而在众多不同的负载电流条件下需要多个低电压轨。另外，工业应用还需要一个按钮接口、一个始终保持接通的电源以用于实时时钟 (RTC) 或存储器、以及从一个高电压电源获得输入功率的能力。其他所需的特性可能包括一个看门狗定时器 (WDT)、一个总?；蚋次话磁ァ⑷砑傻鞯牡缪沟缙?、以及低输入/输出电压和高芯片温度的错误报告功能。
2022-11-21
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【未来可测】系列之二：忆阻器单元基础研究和性能研究测试方案
忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
2022-09-29
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Xilinx FPGA DDR3设计（一）DDR3基础扫盲
DDR3 SDRAM 全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。双倍速率（double-data-rate），是指时钟的上升沿和下降沿都发生数据传输；同步，是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的；动态，是指DDR3中的数据掉电无法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；随机，是指可以随机操作任一地址的数据。
2022-05-12
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KIOXIA铠侠庆祝NAND闪存发明35周年
2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠近日宣布，其已达成一座新的里程碑——2022年是公司发明NAND闪存的35周年。
2022-05-01
- 破解多收发器同步难题：基于MAX2470的高隔离时钟耦合方案
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