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多路输出单端反激式开关电源原理及设计
本文设计的开关电源将作为智能仪表的电源，最大功率为10 W。为了减少PCB的数量和智能仪表的体积，要求电源尺寸尽量小并能将电源部分与仪表主控部分做在同一个PCB上……
2010-03-29
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AUIPS7111S：IR推出超低导通电阻智能电源开关
国际整流器(IR)近日推出AUIPS7111S高侧智能电源开关。该产品具有很低的导通电阻（RDS(on)），适用于卡车引擎罩接线盒等24V汽车环境。
2010-03-25
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SiC414:Vishay发布新款microBUCKTM集成同步降压稳压器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出旗下microBUCKTM系列集成同步降压稳压器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC转换器解决方案，具有先进的控制器IC和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET(高边和低边)、在独立降压稳压器配置中的自启动开关，采用节省空间的MLPQ 4mm x 4mm的28引脚封装。
2010-03-24
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ICbq246xx：TI推出开关模式独立电池充电器
德州仪器宣布面向 5 V 至 28 V 电压输入的锂离子电池供电应用推出三款最新开关模式独立电池充电器 IC。这些器件采用小型封装，可为工业手持设备、移动因特网设备 (MID)、上网本、电源工具以及便携式医疗设备等大众市场应用实现具有高准确性与高效的充电功能。
2010-03-23
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汽车多功能控制开关的设计应用
实际使用中，载货汽车电源电路及配件性能和技术方面存不足是显而易见。为此，本文介绍一种汽车多功能电子搭铁控制开关，成功解决了这些问题。
2010-03-22
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C＆K推出霍尔效应开关HP系列
C&K推出延长生命周期的霍尔效应开关HP系列，HP系列霍尔效应按钮开关提供生命周期达1000万次启动。该密封开关提供一个非接触式霍尔效应接触系统和高能量磁铁，为霍尔器件提供线性磁场……
2010-03-17
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。
2010-03-16
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。
2010-03-11
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Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列电源转换IC
由于采用全新的多周期调制模式，使得电源在空载条件下具有出色的轻载效率和低功耗，既可降低平均开关频率，又可减小输出纹波和音频噪声。因此，设计出的电源不仅可以轻松满足包括ENERGY STAR?和欧盟委员会用能产品生态设计指令在内的要求严格的最新能效规范，同时还可维持稳定的输出电压。使用TOPSwitch-JX可轻松实现264 VAC下的待机功耗低于100 mW（针对20 mW的负载）。
2010-03-11
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
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恩智浦半导体推出新一代高效率低VCEsat晶体管
这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型BISS-4产品表明，双极晶体管技术为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择。
2010-03-10
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MMBD5004BRM：Diode推出四开关二极管阵列
Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。
2010-03-09
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