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宽带隙半导体在航空航天和卫星方面的应用
宽带隙 (WBG) 半导体在电源转换方面具备几个优势，如功率密度和效率更高，同时可通过允许使用更小无源元器件的高频开关，减少系统尺寸和重量。这些优势在航空航天和卫星动力系统中可能更加重要，因为尺寸和重量在这些领域中更为关键。本文探讨了碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等 WBG 元器件在这些应用中的相对优势。
2023-04-08
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双向双极结技术的力量
B-Tran 等半导体电源开关是各种高效和清洁能源应用的电源转换中的关键组件。这些应用包括电动汽车、可再生能源发电、储能、固态断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体功率开关元件的效率和性能可以带来广泛的好处，提高经济性并加速这些应用的部署。
2023-04-06
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了解用于模拟／数字转换器的单传输对串行通信的新 JESD204 标准
数字设计人员可能非常熟悉在模数转换器 (ADC) 和逻辑设备之间路由高速数字线路的挑战。必须非常小心，以确保高速走线之间有足够的间距，并确保数字信号不跨越模拟边界。不良布局将导致数字开关噪声反馈到 ADC 的模拟输入中，从而降低整体系统性能。
2023-04-05
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智能节能插座的设计
计算机外部设备(如打印机、扫描仪、音响等)的待机能耗不但增加了消费者的日常电费开支，也使电力资源浪费极大。该设计的计算机智能节能插座利用主机的开机和关机来带动其他设备的开或关，使其接口设备待机能耗为零，能够减少计算机及其外设所产生的辐射，以此达到节能和环保功效；同时还具备有分段定时开关的功能。该智能插座也可以通过功能转换作为普通插座使用，不影响其他设备的使用。
2023-04-04
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设计基于 GaN 的电源系统的更简单方法：比较市场上的集成驱动器产品
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 为电源系统设计人员提供了一个令人兴奋的新选择。与硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他们能够显著降低开关损耗并提高电源效率，并支持更高的开关频率，从而减小系统尺寸和重量。
2023-03-29
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引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容 [1-4]。本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一个虚拟的制造软件平台，可以在设定的半导体工艺流程内模拟工艺变量。利用SEMulator3D?设备中的实验设计 (DoE) 功能，我们展示了寄生电容与刻蚀深度和其他用于制作空气间隙的刻蚀工艺参数的相关性，以及它与空气间隙大小和体积的相关性。
2023-03-27
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为什么测量精度对 EV 性能至关重要
使用传感器测量电路中不同的功率相关参数时，会遇到不同的挑战。主要挑战是保持传感器和电源电路之间的电气隔离，以防止电源电路波动对测量的影响。高效隔离还有助于保持高频开关电路中的测量精度，该电路极易受到这些高频开关通过接地环路产生的噪声的影响。
2023-03-25
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米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？
2023-03-24
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如何正确选择电感电流纹波？
在大部分开关稳压器的数据手册，以及大部分应用笔记和其他说明文本中，电感电流纹波建议在标称负载工作的30%。这意味着在标称负载电流下，电感电流波峰和电感电流波谷分别比平均电流高15%和低15%。为何选择30%的电感电流纹波或电流纹波比(CR)可以说是不错的折衷方案？
2023-03-22
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满足 CAN 收发器的抗扰度要求
电动机、开关转换器、大电流驱动级和振荡器属于噪声注入器类型，可以在电源线上引入纹波。导航和互联网子系统等通信?？橐约巴獠扛扇乓不嵩黾釉肷?，这些噪声可以传导或耦合到敏感的电子设备上，并有可能破坏它们的行为。在此背景下，CAN收发器仍有望成功交换数据；为此，它们必须具有很强的抗噪能力。
2023-03-18
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几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。
2023-03-16
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氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。
2023-03-13
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