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罗姆公司进军中国电子产业三大领域
罗姆公司是生产集成电路、分立半导体、光电半导体和电子元件的日本半导体制造商，在微电子和光电子芯片的研发生产方面具有领先水平。罗姆公司一直重视中国市场的开发，在中国建立了与日本相同的开发、营业和制造集成一体的体制，并计划今后在中国大陆积极增建营业事务所，为开拓西部市场，今年分别在成都、西安设立了办事处。在产品策略上，罗姆公司始终准确地把握中国的发展热点，在2010年中国（成都）电子展期间，罗姆半导体（深圳）有限公司总经理李天龙先生向本刊记者透露了公司今年在华发展的新计划，重心放在功率器件、传感器和LED照明三大领域。
2010-10-11
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散热器选择及散热计算
目前的电子产品主要采用贴片式封装器件，但大功率器件及一些功率?？槿匀挥胁簧儆么┛资椒庾?，这主要是可方便地安装在散热器上，便于散热。本文介绍散热器选择及散热计算
2010-10-09
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Vishay专场技术讲座畅谈新型元器件节能应用
全球最大的分立半导体和无源电子元件厂商Vishay登陆成都，在电子元件技术网举办的“第四届新型节能设计技术研讨会”中开设Vishay专场技术讲座，来自Vishay不同领域技术专家分别探讨电容、电阻、电感、光隔离器、功率器件在工业电源、机车电源系统、电机控制、逆变器、变频器等领域的应用。
2010-09-08
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电动汽车对电源芯片与功率器件挑战
电动汽车是现在的热门话题，它是绿色环保的新宠儿。但是高电压对电动汽车对内部系统的安全提出了挑战，本文就这个热门的话题讲述电动汽车对电源芯片与功率器件挑战
2010-05-20
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μPD166017/19/20/21：NEC电子推出4个新的智能功率器件
NEC电子推出4个新的智能功率器件（IPD）：μPD166017，μPD166019，μPD166020和uPD166021。每个高边IPD适于汽车照明和其它重要车辆负载。
2010-03-22
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更小巧、更轻便、更低温——IR GaN功率器件带动功率技术革命
GaN技术平台开创行业先河，是IR研发部门基于IR专利的GaN-on-Si硅上氮化镓异质外延技术，经过5年精心研究的成果。高生产量的150mm硅上氮化镓外延以及相关的器件制造工艺，完全符合IR具备成本效益的硅制造设施，可为客户提供世界级的商业可行的氮化镓功率器件制造平台。
2010-03-15
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iP2010/2011：IR率先推出行业首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。
2010-03-10
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IR推出行业首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。
2010-03-10
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Microsemi在APEC 2010展示其全部功率半导体器件产品
Microsemi公司今天宣布将于本周在加利福尼亚州棕榈泉(Palm Springs)的棕榈泉会议中心(Palm Springs Convention Center)所举行的应用功率电子学会议和展览会 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件产品，并在2个技术交流会上进行演讲。
2010-03-01
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直面以对风力发电设计挑战
英飞凌科技(中国)有限公司家电及工业功率器件市场经理陈子颖表示：“在中国目前的风电市场上，主流风机功率是1.5MW和2.0MW，但也正在向更高的功率发展，如2.5～3.6MW功率风机已有商业化运行(上海东海大桥的海上风电功率达到3.6MW)?！?/p>
2010-01-13
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LED照明点亮2010 ??? 引领节能新趋势
2009年LED照明产业丝毫没有受到全球金融危机带来的负面影响，在政府的政策推动下，加上LED发光效率的提升与整体产品成本的下降等因素的影响，LED照明产业一路走红。与此同时绿色经济、低碳经济已经成为全球关注焦点；市场对太阳能/风力发电等新能源、节能降耗产品的需求与日俱增，这也为电子元器件行业带来了变革和创新的契机，也拓宽了相关功率器件、驱动电路、电源模块、散热管理、连接器产品的发展空间。
2010-01-11
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功率器件在静止变频技术中的应用
本文主要讲述：晶闸管的使用与保护以及在变频技术中的应用
2009-09-17
- 机构预警：DRAM价格压力恐持续至2027年，存储原厂加速扩产供应HBM
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