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图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
2022-04-01
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基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。
2022-02-08
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改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
肖特基二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在泄漏电流大等缺点。东芝的SiC SBD使用改进的结构克服了这个缺点。
2021-09-01
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齐纳、PIN、肖特基和变容二极管的基础知识及其应用
虽然传统的硅二极管或锗二极管在大多数电子应用中可以很好地作为整流器和开关元件使用，但它们不具备电子微调、电子衰减、低损耗整流、基准电压生成等功能。最初，我们使用更原始、成本更高且体积更大的“蛮力”方法来完成这些任务。这些方法现在已经让位于更精巧的特殊用途二极管，包括变容二极管、PIN 二极管、肖特基二极管和齐纳二极管。
2021-08-16
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如何使用自供电运算放大器创建低泄漏整流器？
您可以将一个精心挑选的运算放大器、一个低阈值 P 沟道 MOSFET 和两个反馈电阻结合起来，制成正向压降比二极管小的整流器电路（图 1）。整流后的输出电压为有源电路供电，因此不需要额外的电源。该电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。
2021-07-12
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【应用笔记】肖特基二极管和特定应用的势垒高度调整
本文将真正的肖特基二极管作为正向压降的选择。本文档描述了低、中和高电压电平应用，以及具有理想动态行为的二极管、快速反向恢复 PN 二极管、真正的肖特基二极管和特定应用的势垒高度调整。
2021-06-11
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肖特基二极管与普通硅二极管以及快恢复二极管的区别
区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
2021-06-10
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肖特基二极管的定义和特点
SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
2021-06-09
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肖特基二极管的结构和检测方法
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。
2021-06-09
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肖特基二极管与普通二极管的区别
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
2021-04-07
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肖特基二极管结构和内电路
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。
2021-04-06
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SS34二极管参数和压降是多少？
SS34为贴片肖特基二极管，常用在小电流的（模型）电调上用，用于电路瞬间整流。其中白色段为负极。
2021-02-05
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