-
如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路
功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步,最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中,输入电压与电流之间为纯电阻关系,无任何输入电流谐波。 目前,升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上,必须要走向无桥型,才能进一步减少器件使用,减少功率器件数量与导通路径上的损耗。 在其中,图腾柱功率因素校正电路(totem-pole PFC)已证明为成功的拓扑结构,其控制法亦趋于成熟。
2021-11-25
-
分析无芯变压器栅极驱动器
功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间,ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器,以实现稳健的隔离,这对SiC技术尤其有用。碳化硅已被引入工业和汽车市场的广泛应用中,包括太阳能逆变器,所有类型的高压电源和汽车车载电池充电器。
2021-11-15
-
SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
功率器件作为半导体产业的重要组成部分,拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如,传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展,占据了绝对领先的市场份额。不过,随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起,拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角,获得了业界的持续关注。
2021-11-10
-
功率半导体的进步实现3级直流快速充电,解决电动汽车的里程焦虑
目前,电动汽车的使用仍受到阻碍,主要在于 “里程焦虑”问题,并且车主不愿在道路上等待数小时充电时间。然而,随着全国各地部署越来越多的充电桩,“直流快速充电”有望将等待时间缩短至数分钟。这些额定功率达350 kW的大功率充电桩,必须利用最新的电源转换拓扑结构和半导体开关技术,以尽可能提高电能效来实现成本效益。本文将介绍这些大功率充电桩的典型设计方法,对功率器件的一些选择,以及最新的宽禁带半导体可带来的优势。
2021-11-03
-
高功率器件驱动风向:隔离栅极驱动
D类音频功率放大器的市场需求每年以约50%的速度增长,以高性能设备为目标应用。D类音频放大器的高能效和低热性等特点支持轻薄时尚的产品设计,大功率电源还可节省成本。D类放大器满足小尺寸、低功耗、高音频输出的市场主流需求,从而成为音频类产品的中坚力量。
2021-11-03
-
通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议,在通用汽车未来电动汽车计划中采用SiC
2021年10月11日,美国密歇根州底特律市和北卡罗来纳州达勒姆市讯 – 通用汽车(NYSE: GM)和 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)于近日宣布达成一项战略供应商协议,约定 Wolfspeed 为通用汽车的未来电动汽车计划开发并提供碳化硅(SiC)功率器件解决方案。Wolfspeed SiC 器件将赋能通用汽车安装更高效的电动汽车动力系统,从而扩大其快速完善的电动汽车产品组合范围。
2021-10-11
-
什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术?
自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来,为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是,在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢?迄今为止,屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进,加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步,使工程师能够实现更高的系统效率。
2021-09-15
-
通过AC整流桥上的有源开关提高效率
提高电源转换效率和功率密度一直是电源行业的首要目标,在过去十年中,更因功率器件、拓扑结构和控制方案的发展而取得长足的进步。超结MOSFET、SiC二极管以及最新GaN FET的发展,确保了更高频率下的更高开关效率;同时,高级拓扑及其相应控制方案的实现也在高速发展。因此,平衡导通损耗与开关损耗以实现最佳工作点,现在已完全可以实现。
2021-09-10
-
X-FAB与派恩杰达成长期战略合作,共同推动全球SiC产业发展
2021年9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。
2021-09-06
-
罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案
全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。
2021-08-26
-
IGBT??榧吧⑷认低车牡刃饶P?/a>
功率器件作为电力电子装置的核心器件,在设计及使用过程中如何保证其可靠运行,一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内,还要对器件及系统的热特性进行精确设计,才能既保证器件长期可靠运行,又充分挖掘器件的潜力。
2021-08-23
-
非隔离型栅极驱动器与功率元器件
ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
- 机构预警:DRAM价格压力恐持续至2027年,存储原厂加速扩产供应HBM
- IDC发出预警:存储芯片暴涨,明年DIY电脑成本恐大幅攀升
- 2025年全球智能手表市场触底反弹,出货量将增长7%
- 从集成到独立!三星首款2nm芯片Exynos 2600将不集成5G基带
- AI热潮的连锁反应:三星、SK海力士上调HBM3E合约价
- ESIS 2026第五届中国电子半导体数智峰会强势来袭!报名通道已开启~
- 100/1000BASE-T1验证新路径!泰克-安立协同方案加速车载网络智能化升级
- 从“天-地”协同到效率跃升:PoE赋能AMR落地全解析
- IGBT基础知识:器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
- 无负担佩戴,轻便舒适体验:让智能穿戴设备升级你的生活方式
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall



