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安森美电路?；し桨复蠊郏好靼紫允綞SD有效性和信号完整性

随着SoC特征尺寸的减小，器件更易遭受ESD损伤，越来越多纤薄型工业设计更注重小外形封装中的ESD及EMI性能。且?；て骷?/span>必须完全“透明”，不能降低信号完整性，安森美采用先进技术的电路保护方案让我们知道：ESD有效性和信号完整性可以得到评估和证明。

2012-05-21

满足Thunderbolt和USB 3.0应用的超低电容静电保护器

ESD?；て骷?/span>在数据线上增加了电容，可能引起信号完整性问题，如今的高速端口需要电容最低的ESD器件，以在提供最高等级保护的同时对信号传输的影响最小。TE的SESD器件提供比竞争对手‘超低电容’方案低92%的电容值，为USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和Thunderbolt提供最低的插入损耗。

2012-05-18

安森美双向过压过流?；て骷?/span>NCP370应用指南

NCP370是安森美半导体(0N Semiconductor)公司生产的具有过压、过流?；ぜ胺聪蚩刂乒δ艿募伤?span id="5n233hq" class='red'>?；て骷?/span>。该器件可以提供高达+28V的正向?；ず偷椭?28 V的负向?；すδ埽佣岣叨员阈璞盖岸说谋；ぁCP370采用了创新架构，可在器件内部为连接在底部连接器并以锂离子电池供电的外部附件提供OCP?；ぃ扌枋褂猛獠縊CP器件。另外，NCP370还集成有低导通阻抗(Ron)的N沟道MOSFET，可有效支持便携设备中的锂离子电池所要求的1．3 A的直接充电电流，并可进一步降低系统成本。

2012-05-18

君耀强效放电管选型指南

SPG强效应玻璃放电管是一种靠内部微间隙放电的一种保护器件，在电极微间隙之间充有稳定的惰性气体，并采用玻璃壳和杜镁丝头在高温下烧结密封而形成的。

2012-05-18

常用四大类过压?；て骷?/span>选型攻略

如何合理选择正确的过压?；て骷?/span>?不同的过压保护器件其?；ぴ砀饔胁煌?，选择的时候应结合其?；ぴ?、工作条件和使用环境来考虑。本文介绍常用的几种过压保护器件ESD抑制器、压敏电阻、瞬态电压抑制器TVS、陶瓷气体放电管的选型技巧，帮助工程师正确选择电路?；て骷?/span>。

2012-05-17

以太网端口?；さ闹悄芑桨?/a>

满足Thunderbolt应用的TE电路?；ご葱缕骷舛?/a>

贝特电子气体放电管——过压保护器件选型

贝特电子有限公司的气体放电管——2-Electrode　Arresters（4.5X3.2X2.7）为气密性陶瓷管内部充填惰性气体，根据气体种类及压力不同，可控制在特定的电压范围接地放电以?；ず蠖说纳璞讣叭嗽?，具备可承受多次浪涌冲击、电容量小、无方向性的特性。

2012-05-15

整合线路防护方案, TBU?；て骷?/span>大放异彩
Bourns参加第十一届电路保护与电磁兼容技术研讨会

2012年4月10日，深圳 — 国际著名电路?；ぷㄒ导际跤虢饩龇桨腹┯ι堂拦囟餮翘邢薰荆虺艬ourns）于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合举办的第十一届电路?；び氲绱偶嫒菁际跹刑只帷?/p>

2012-04-10

SESDX：TE电路?；げ客瞥龉杈驳绶诺?span id="5n233hq" class='red'>保护器件

TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路?；げ咳涨胺⒉家桓鱿盗?款全新的单/多通道硅静电放电（SESD）保护器件，可提供市场上最低的电容（双向：典型值为0.10pF，单向：典型值为0.20pF）、最高的ESD?；ぃ?0kV空气放电和接触放电）和最小尺寸封装（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度为0.31mm）。

2012-03-29

锂离子电池可复位电路?；ど杓菩吕砟?/a>

TVS二极管特性及应用

瞬态电压抑制器是一种二极管形式的高效能?；て骷?/span>，具有极快的响应时间和相当高的浪涌吸收能力。当TVS的两端受到反向瞬态过压脉冲时，能以极高的速度把两端间的高阻抗变为低阻抗，以吸收瞬间大电流，并将电压箝制在预定数值，从而有效?；さ缏分械脑骷馐芩鸹?。本文讲述了TVS器件的主要特性参数和选用注意事项，同时给出了TVS在电路设计中的应用方法。

2012-03-19