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华邦电子重新定义AI内存：为新一代运算打造高带宽、低延迟解决方案
随着高效能运算（HPC）工作负载日益复杂，生成式 AI 正加速整合进现代系统，推动先进内存解决方案的需求因此日益增加。为了应对这些快速演进的需求，业界正积极发展新一代内存架构，致力于提升带宽、降低延迟，同时增加电源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型内存技术的突破正重新定义运算效能，而专为 AI 优化的内存方案，则扮演了驱动效率与扩展性的关键角色。华邦的半定制化超高带宽元件 (CUBE) 内存即是此进展的代表，提供高带宽、低功耗的解决方案，支持 AI 驱动的工作负载。本文将探讨内存技术的最新突破、AI 应用日益增长的影响力，以及华邦如何透过策略性布局响应市场不断变化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飙！Cadence 全球首发 LPDDR6/5X IP 点亮下一代 AI
楷登电子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片业界首款LPDDR6/5X内存IP系统解决方案，支持14.4Gbps超高速率，较前代LPDDR DRAM性能提升50%。该方案专为新一代AI基础设施设计，可满足大语言模型（LLM）、智能代理等计算密集型应用对内存带宽与容量的严苛需求。目前，Cadence正与全球头部AI、高性能计算（HPC）及数据中心客户展开深度合作，共同推动AI算力架构的存储升级。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结构显著降低了节点接触 (NC) 与位线 (BL) 之间的寄生电容。尽管4F2器件其他组件之间的寄生电容相比6F2器件略有增加，但它们仍处于支持器件达成目标性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的总寄生电容得到有效降低，可能在器件尺寸较小的情况下提供更优的性能。
2024-11-20
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DigiKey开售Kingston的内存产品和存储解决方案
DigiKey 宣布与 Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston 面向各种规模的工业和嵌入式 OEM 客户，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。
2024-07-27
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以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。
2023-11-29
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DDR5 时代来临，新挑战不可忽视
在人工智能（AI）、机器学习（ML）和数据挖掘的狂潮中，我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景，内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中，以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR（Double Data Rate）技术作为动态随机存取存储器（DRAM）的重要演进，极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。
2023-10-20
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为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？
消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。
2023-09-25
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为什么FeFET变得如此有趣？
随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。铁电材料可以提供非易失性存储器，填补 DRAM 和闪存之间的重要功能空白。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的 2D 沟道是最近 IEEE 电子设备会议的两个亮点。
2022-12-30
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SPARC：用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术
泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPARC 将泛林无与伦比的等离子技术与化学和工艺工程相结合，实现了先进逻辑和 DRAM 集成设计的进一步发展。
2022-10-09
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贸泽电子与Innodisk签订全球分销协议，提供工业级存储产品
2022年6月6日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Innodisk签订新的分销协议。Innodisk（宜鼎国际）是工业级嵌入式闪存与DRAM存储产品和技术的知名供应商，专注于企事业单位以及工业、医疗与航空航天等行业。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3设计（一）DDR3基础扫盲
DDR3 SDRAM 全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。双倍速率（double-data-rate），是指时钟的上升沿和下降沿都发生数据传输；同步，是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的；动态，是指DDR3中的数据掉电无法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；随机，是指可以随机操作任一地址的数据。
2022-05-12
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SRII推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
2022-01-26
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