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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan钽芯片电容
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan钽芯片电容
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列，该器件已通过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列，该器件已通过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列
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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
为满足日益增长的对AlInGaP技术的需求，日前，Vishay宣布推出两种新系列的、采用倒立鸥翼式封装的黄色和红色SMD LED，这两种系列的SMD LED具有高发光强度和低功耗的特点。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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