2012电力电子展上 隆罗姆半导体携SiC?？槭状瘟料?/font>
罗姆将以SiC为首的功率元件事业作为发展战略之一定位，今后，加强实现更高耐压、更大电流的SiC元件/?？榈牟氛笕莸耐保欢贤平晟芐iC 沟槽式MOSFET和SiC -IPM(智能电源?？?等SiC相关产品的阵容与量产化。
损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，实现设备整体的小型化
据悉，通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。另外，针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了"全SiC"功率?？榈牧坎逯啤?/p>
低电压时防止误操作功能、热?；すδ堋⒍搪繁；すδ?、短路保护时软关断功能
日本知名半导体制造商罗姆(ROHM)将参加2012年6月19-21日在上海世博展览馆举办的“PCIM-ASIA 2012电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理国际展览会暨研讨会”。
首次亮相PCIM-ASIA展览会的罗姆半导体将为观众及采购商带来全新的产品罗姆“全SiC”功率?？椤８媚？槟谥霉β拾氲继逶坎捎肧iC(Silicon Carbide：碳化硅)构成，应用于工业设备、太阳能电池、电动汽车、铁路等中负责电力转换的变频器、转换器。
同时，罗姆半导体带来了面向车载“内置绝缘元件的门极驱动”，此款驱动行业唯一对应SiC的内置绝缘元件门极驱动，有效促进EV、HEV变频器电路的小型化和低电力消耗。主要应用于：EV/HEV/PHEV用变频器、EV/HEV/PHEV用DC/DC转换器、EV/PHEV用车载充电器。
特点：①采用罗姆自主研发的无铁芯变压器技术，内置2,500Vrms绝缘元件
②小型封装：与以往产品相比，封装面积降低50%以上 SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm)
?、鄞钤厮谐翟乇淦灯鞯缏返谋；すδ?，实现安全设计：米勒钳位功能、故障输出功能、
特点:
开关损耗降低85%。内置最先进的SiC-SBD与SiC-MOSFET的“全SiC”?？椋?/p>
与传统的Si-IGBT相比，开关损耗可降低85%
与传统的400A级别的Si-IGBT?？橄嗵婊皇保寤跣≡?0%
