桃花源qm花论坛(品茶),凤楼阁论坛官网入口网址,一品楼品凤楼论坛最新动态,风楼阁全国信息2024登录入口

 

由于功率模块易于排布并且通常与符合行业标准的总线连接、控制/传感互连以及市售的散热器相兼容，因此在功率电子行业中，功率?？檎嚼丛绞芑队?。使用?？榭墒沟缭聪低成杓剖ψㄗ⒂诮缭聪低撤⒒幼畲笮阅?，而不必花费宝贵的工程时间来开发定制外壳、散热器、总线互连以及集成/调整感测和控制电子。

 

随着越来越多的应用以惊人的速度增长，更快速、更高效地开发电力系统的需求，比以往任何时候都更迫切（参见图 2）。对可再生能源系统、电动汽车、火车/轨道交通、更高效电网系统（包括电能存储）以及使数据中心和关键电气系统保持无缝运行的不间断电源（UPS）的需求，每年都在以两位数增长。

 

图 2：

随着使用 SiC 材料和功率?？槭谐〉某中龀ぃ?SiC 器件的需求也一直在增加。

 

新型 SiC 器件如何超越传统 Si IGBT

 

由于新应用对电源模块的需求越来越大，加之对已有应用的升级改造，所以对于增强电源?？榈男阅芎图际跄芰Υ嬖谧糯葱碌幕?。传统的电源?？橛?Si IGBT 组成，已经存在了数十年。它们具有特定的封装形态，且这些 Si IGBT 功率?？榈墓乖焯卣髦鞯剂巳嗣嵌怨β拭芏群凸乖煜拗频钠毡樵て?。

 

但是，随着针对 SiC 进行了优化的新型电源模块的出现，这些标准和看法需要进行调整。最新的SiC 晶体管是采用 SiC 半导体开发的，其带隙电压几乎是 Si 的 3 倍，临界场达 10 倍以上、热导率超过 5 倍，且整个功率器件的品质因数远超 Si 的能力（见表 1）。

 

表 1：Si 和 SiC 半导体特性

 

与双极结型晶体管相比，SiC 的优势加之与 MOSFET 型晶体管的使用相结合，使得新型全 SiC 功率器件能够在比同类 Si IGBT 尺寸小的器件中，实现高得多的电压和电流操作。而且，这些 SiC 器件能够提供比 Si IGBT 低得多（>5 倍）的开关损耗。因此，SiC 器件的开关速度可以设置为超出（通常为 10-50 kHz）Si IGBT 极限开关速度的几倍。与 Si IGBT 相比，SiC 器件的导通损耗更低，在轻负载下也可以实现更高效率。

 

创新将 SiC 功率模块推向商用市场

 

对于电源?？?，电源设备本身只是故事的一部分。组件和附属电子电路的设计和集成功能也会极大地影响整个电源?？榈男阅芎凸δ?。因此，需要进行仔细的设计以优化功率器件的性能，包括使环路电感最小化、优化高温操作并考虑合适应用的互连复杂性。

 

Wolfspeed 通过其最新的 XM3 全 SiC 电源?？槭迪至怂姓庑┕δ?，并集成了诸多特性，包括可减少电源?？榈恼嘉幻婊?、提供更高的功率密度、降低物料成本、并且同时提高性能等。新型XM3 SiC ?？榧际醯男矶嗵匦岳嗨朴诟叨雀丛拥男∨慷ㄖ粕低常?XM3 ?？榈纳杓颇勘晔且约呔赫Φ募鄹裎笈坑τ锰峁┐死嘈阅芎吞匦?。

 

图 3：

Wolfspeed XM3 SiC 电源?？榻舸?、功率密度高、且极其稳固耐用，使其非常适合各种大功率工业、轨道交通和汽车应用。