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光敏电阻从原理到国产替代的全面透视与选型指南
光敏电阻（Photoresistor/LDR）是一种基于光电导效应的半导体器件，其电阻值随入射光强度变化而改变。核心材料为硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）等半导体，通过光照激发载流子（电子-空穴对），降低材料电阻值。无光照时，暗电阻可达1.5MΩ；强光照下，亮电阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏电阻
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MOSFET技术解析：定义、原理与选型策略
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种通过栅极电压控制源漏电流的半导体器件，具备高输入阻抗、低功耗、高频特性等优势，广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等领域。
2025-05-20
MOSFET
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线绕电阻与金属膜电阻技术对比及选型指南
在电子电路设计中，电阻作为基础元件，其性能直接影响电路的稳定性与精度。线绕电阻与金属膜电阻作为两大主流类型，在技术特性与应用场景上存在显著差异。线绕电阻以高精度、强过载能力著称，常用于工业控制、仪器仪表等对稳定性要求严苛的领域；而金属膜电阻则凭借小型化、低成本优势，广泛应用于...
2025-05-20
线绕电阻 金属膜电阻
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立体视觉的“超感进化”：软硬件协同突破机器人感知极限
在动态非结构化场景中，立体视觉正成为机器人感知世界的“数字双眼”。通过模拟人眼视差原理，双目相机系统可生成高密度三维点云，为料箱拣选、无人驾驶等任务提供厘米级环境建模。但要将这项技术嵌入实时系统，需跨越三重技术鸿沟。
2025-05-20
智能软件 硬件 立体视觉 机器人
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超越毫秒级响应！全局快门图像传感器如何驱动视觉系统效能跃升
基于全局快门的系统可以消除许多常见于视觉系统的视觉伪影（例如摆动、倾斜和空间混叠等），有助于提高速度和准确性，进而能够提升操作效率。对于条形码扫描、机器视觉 (MV) 和自主移动机器人 (AMR) 等应用而言，全局快门成像技术正迅速成为热门选择。
2025-05-20
图像传感器 机器视觉
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中微公司在TechInsights 2025半导体供应商奖项调查中荣获两项第一
在全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights举办的2025年半导体供应商奖项调查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中荣获六大奖项，其中在WFE基础芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉积设备（Deposition Equipment）两个榜单中位列第一。
2025-05-19
中微公司
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线绕电阻与碳膜电阻技术对比及选型指南
线绕电阻采用镍铬合金等高电阻率金属丝绕制在陶瓷骨架上，表面覆盖绝缘釉层。其电阻值由绕线长度、线径及合金成分决定，典型温度系数可达±5ppm/℃，精度可达0.01%（E96系列）。碳膜电阻则通过真空沉积工艺在陶瓷基体形成碳基薄膜，电阻值由膜层厚度和碳浓度控制，温度系数通常为±200ppm/℃，精度范围0...
2025-05-18
线绕电阻 碳膜电阻
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