【导读】富士通研究所利用GaN-HEMT开发出支持毫米波频段的、输出功率为10W的收发?？榧际?。凭借该技术，收发?？榈某叽缂跣〉?2mm×36mm×3.3mm，通过单一封装即可实现大功率收发功能。
富士通研究所利用使用氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMT），开发出了支持毫米波频段的、输出功率为10W的收发?？榧际酢?
以前，要想实现支持毫米波频段带的大功率收发?？?，为了便于散热要采用各部件单独封装的?？楣钩?，因此很难实现小型化。另外，伴随高频率化，?？槟诘亩俗恿硬糠值乃鹗б苍龃?，所以要想支持毫米波频段是非常困难。
图1：毫米波频段的使用示意图
为了解决这些问题，富士通研在多层陶瓷基板的收发?？槟谏柚昧丝筛咝⑷鹊?a target="_blank" style="text-decoration:none;" >散热片，使散热性提高到了原来的5倍，从而实现了10W级别的输出功率。另外，富士通研还研究出了可降低散热片部分的高频损失的大带宽连接构造，该构造能以最高40GHz的频率在?？槟诖涓咂敌藕?，以前的最高传输频率只有20GHz。
凭借上述技术，收发模块的尺寸减小到了12mm×36mm×3.3mm，与原来多个封装组合在一起的?？橄啾龋笮』共坏皆吹?/20。通过单一封装即可实现大功率收发功能，有助于削减雷达设备及无线通信设备的尺寸。
图2：开发的收发?？榈墓钩?/div>
图3：收发模块的照片和截面示意图
该技术的详细情况已在2013年6月2日于美国西雅图开幕的微波国际学会“IEEE MTT 2013 International Microwave Symposium（IMS2013）”上发表。
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