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英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池?；すδ?/a>

贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书探讨电子设计中的电源效率与稳健性

贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 联手推出一本新电子书，重点介绍优化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未来的供电：兼顾效率与稳健性的先进电源解决方案）这本电子书中，ADI和贸泽的主题专家对电源系统中的重要组件、架构和应用进行了深入分析。

2024-11-15

如何利用英飞凌MOTIX? embedded power硬件机制标定小电机ECU

英飞凌MOTIX? MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计，在这些应用中，小尺寸封装和最少数量的外部组件是必不可少的，包括但不限于：车窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC风扇，发动机冷却风扇，水泵。由于电机量产的参数的非一致性。需要对这些小电机进行产线级别标定。以下是一些适配MOTIX? MCU 硬件特性的标定方法参考。

2024-11-12

宜普电源转换公司胜诉，美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权

宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下简称宜普公司）今日宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。该相关专利对人工智能、卫星、快速充电器、仿人机器人、自动驾驶以及其他许多技术的发展均至关重要。美国国际贸易委员会决定禁止英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下简称英诺赛科）在未获宜普公司授权的情况下将相关氮化镓产品进口至美国。

2024-11-11

基于GPU器件行为的创新分布式功能安全机制为智能驾驶保驾护航

随着汽车智能化程度的快速提高，大量新的处理器和系统级芯片（SoC）被广泛引入到车辆中，无论是在驾驶还是座舱等场景，无论采用域控制器模式还是新兴的中央控制单元模式，都无一例外地在考虑加入更加智能化的新功能。但是随之而来的是这些控制单元中的相关芯片的系统级故障或意外行为可能引起的危险，因此需要发现这些故障或可能的意外并提供相应的保护措施，这个过程就是为汽车芯片建立和提供功能安全（Functional Safety，亦简称FuSa）解决方案。

2024-10-12

意法半导体与高通达成无线物联网战略合作

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 与高通公司旗下子公司高通技术国际有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，简称QTI）近日宣布，双方达成一项新的战略协议，合作开发基于边缘 AI的下一代工业和消费物联网解决方案。

2024-10-11

贸泽推出全新一期EIT系列 探索可持续智能电网的技术创新

贸泽电子 (Mouser Electronics) 发布Empowering Innovation Together (共求创新，EIT) 计划全新一期技术内容，探讨将可再生能源纳入智能电网技术的好处，并重点介绍AI和5G在实现可持续电网管理中的作用。

2024-09-25

贸泽电子对FIRST创始人兼发明家Dean Kamen进行视频专访

贸泽电子 (Mouser Electronics) 很高兴推出与工程师、发明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 创始人Dean Kamen的视频专访。这家非营利机构致力于通过机器人实践项目，推动青少年的科学、技术、工程与数学 (STEM) 教育。自2014年以来，贸泽一直是FIRST的主要赞助商之一，协助该机构每年持续激发数十万年轻人的创新灵感，培养他们全面的STEM和生活技能。

2024-09-09

2024CIOE中国光博会 | 傲科光电邀您相约12A59展位！

汇聚全球光电科技，尽在中国深圳光电博览会(CIOE)。本届CIOE将于2024年9月11-13日在深圳国际会展中心(宝安新馆)隆重举办。在这个全球光电科技汇聚的盛会上，傲科光电将展示业界领先的400G/800G/1.6T 应用的全系列Driver、TIA及硅光解决方案。

2024-09-09

什么是IGBT的退饱和（desaturation）？ 什么情况下IGBT会进入退饱和状态？

这要从IGBT的平面结构说起。IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E，二者都会发生退饱和现象。下图所示是一个简化平面型IGBT剖面图，以此来阐述退饱和发生的原因。栅极施加一个大于阈值的正压VGE，则栅极氧化层下方会出现强反型层，形成导电沟道。

2024-08-30

可调速工业电机驱动器有哪些不同类型

本文简要介绍了 VSD 和 VFD 的常用定义，并探讨了广泛使用 VFD 的原因。然后，回顾了 IEC 61800-9 中为交流驱动器定义的效率等级，并介绍了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市电供电型 VFD，最后还以 MEAN WELL 的示例系统为例，探讨了 VFD 在 AMR 和其他电池供电型系统中的应用。

2024-08-13

西门子Xcelerator即服务助力松下进行家电开发数字化转型

西门子支持全球领先的电子产品制造商松下电器将产品开发和设计数据管理转移到软件即服务(SaaS)模式,作为其数字化转型(DX)策略——“松下转型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分

2024-08-06