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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低开关及传导损耗

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。

2011-09-07

关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法

在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中，需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。

2011-09-06

单正向栅驱动IGBT简化驱动电路

为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”栅驱动器便最为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。

2011-08-29

新型节能设计技术研讨会圆满举办 打造西部电子高能效设计技术盛会

由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合在成都和西安两地成功举办了第七/八届新型节能设计技术研讨会成功举办。本届研讨会成都站活动于8月23日将在成都明悦大酒店举办；8月25日移师西安曲江国际会展中心，与中国（西安）电子展同期举行。来自威世、凌力尔特、基美电子、英飞凌、罗姆、品佳电子的技术专家全面介绍了包括超快恢复二极管、薄膜电容、铝电容、、钽电容、聚合物电容、MOSFET、IGBT、SiC器件在内的电子元器件在太阳能发电、风力发电、新能源汽车、工业与通讯等领域中的应用

2011-08-27

绿色能源计划推动中国IGBT市场增长

据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%...

2011-08-15

IGBT构成的交流传动逆变器的设计

随着半导体器件的发展，IGBT越来越多的被应用到交流传动技术中。本文主要分析了IGBT构成的交流传动逆变器的主电路原理、逆变电路结构及缓冲?；さ缏方峁?，并对主电路的安装布局以及电压电流参数的选取做出了说明，同时提出了一种由M57959构成的IGBT驱动电路的设计。

2011-08-04

高能效功率电子技术领域的新进展

从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术而获得的更高能效，可以使美国的经济规模扩大70%以上，与此同时，使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先厂商，安森美半导体一直专注于超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新，而且取得了长足的进展。

2011-07-27

大功率弧焊逆变电源的IGBT?；ぜ际?/a>

新应用带动IGBT革新

前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相应的是革新的永不止步。

2011-07-11

Diodes推出减少 IGBT 开关损耗的40V 闸极驱动器

Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。

2011-07-08

IGBT及其子器件的四种失效模式

本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电?；び酶哐筺pn管的硅熔融。

2011-07-07

IGBT的四大?；ご胧?/a>