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使用 SiC JFET 接近完美开关
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值接近材料的理论极限（图 1）。这个品质因数直接关系到开关的实际性能及其经济性，与竞争技术相比，每个晶圆的芯片数量更多，性能相当。
2022-12-16
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AC/DC开关电源简介
随着电力电子技术的发展和创新，AC/DC开关电源已基本取代线性电源，朝着小型、轻量和高效的方向发展。目前，开关电源是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的关键部分，被广泛应用于各行各业的电子设备。本文将详细介绍开关电源的发展历程、工作原理及作用。面对眼花缭乱的AC/DC开关电源，我们应该如何选型？
2022-12-15
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开关电源环路稳定性分析(四)
在开关电源的系统中，要想使其输出电压稳定，可以对输出电压进行监控，然后调节开关管的开通和关断，这种方式被称为电压控制模式。
2022-12-13
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深度解析电感饱和与开关电源关系
作为电源界的"古早网红，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用在几乎所有的电子设备中，而且在当今的智能互联时代也依然占据通信系统的C位，其热度经久不衰。
2022-12-09
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开关电源环路稳定性分析(五)（环路的分析）
估计很多人已经等不及了，什么时候可以开始环路的分析。为了尽快进入到大家关心的部分，这一讲我们正式进入环路分析的部分——传递函数。
2022-12-07
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节能型螺线管驱动器设计
螺线管既可作为换能器，也可用作继电器，是一种广泛应用的综合性机电元件，如今已在大多数汽车中用来调整液压油流过自动变速器的流量，或用于操纵为启动发动机供能的大电流开关。本文中讨论螺线管的内部架构，概述控制螺线管装置的应用电路，并系统介绍了节电型驱动器的设计要领。
2022-12-06
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适用于下一代大功率应用的XHP2封装
轨道交通牵引变流器的平台化设计和易扩展性是其主要发展方向之一，其对半导体器件也提出了新的需求。一方面需要半导体器件能满足更宽的电压等级和电流等级，另一方面也要兼容电力电子器件的新技术，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。这样既有利于电力电子系统的平台化设计，也可以增加系统的功率密度，减小系统的尺寸和体积。因此，半导体器件需要具有更低的杂散电感、更大的电流等级和对称的结构布局。本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP? 2 IGBT?？?，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长?？榈氖褂檬倜裙丶恪?/p>
2022-12-05
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用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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通过利用电化学诊断技术分析传感器的健康状况
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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如何有效防止开关模式电源的输入过压
输入过压会损坏电源并对人员造成伤害。如何避免输入过压？通过对电源元器件进行电压应力分析，确定了开关模式电源的关键元器件选型指南。同时，增加电源的内部电气间隙和爬电距离，也有利于优化电压应力。
2022-12-05
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全SiC MOSFET?？槿霉ひ瞪璞父?、更高效
SiC MOSFET?？槭遣捎眯滦筒牧咸蓟瑁⊿iC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET?？榭梢月惆ü斓莱涤媚姹淦鳌⒆黄骱凸夥姹淦髟谀诘挠τ眯枨?，实现系统的低损耗和小型化。
2022-12-02
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小小的疏忽毁掉了产品的EMI性能
总之，来自离线开关电源开关节点的100fF电容会导致超出规范要求的EMI签名。这种电容量只需寄生元件便可轻松实现，例如对漏极连接进行路由，使其靠近输入引线。通常可通过改善间距或屏蔽来解决该问题。要想获得更大衰减，需要增加滤波或减缓电路波形。
2022-11-30
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