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光伏发展简史

光伏(PV or photovoltaic)是太阳能光伏发电系统(photovoltaic power system)的简称。是一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应，将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统，有独立运行和并网运行两种方式。。。。

2012-11-09

用于光伏寿命达500小时的电容器

Vishay 推出新系列的卡扣式功率铝电容器-193 PUR-SI Solar，在50℃下额定电压达500V，在105℃下达到450V。193 PUR-SI Solar器件在无负载情况下，会出现最高电压的太阳能应用，具有很长的使用寿命，在+105℃和100Hz下的额定纹波电流达到2.52A。

2012-11-07

国内对多晶黑硅太阳能电池的研究

黑硅是一种低反射率的硅材料，和常规的硅材料相比它具有超强的吸收光线的能力，可用于太阳能电池产业。中科院微电子所用自行研制的等离子体浸没离子注入机制备了多种微观结构的黑硅材料。

2012-11-01

国内首款异质结背接触(HIT-IBC)高端太阳能电池

近日，中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池（2cm×2cm），基于n型4英寸晶圆(p型衬底采用了不同的技术方案)，通过传统电池工艺如丝网印刷、PECVD沉积，并在必要步骤采用微电子光刻工艺辅助完成的。

2012-10-31

低成本太阳能电池充电器设计

太阳能电池板的泄漏问题传统上可以采用一个与太阳能电池板相串联的肖特基二极管来解决，但肖特基二极管的正向电压降使得它在高电流条件下会消耗大量的功率。因此，需要采用昂贵的散热器和精细的布局来把肖特基二极管保持于低温状态。

2012-10-31

瞄准绿色能源应用的ST功率MOSFET

意法半导体推出拥有高可靠性、高能效的新系列功率产品晶体管，可支持科技企业满足日益严格的生态设计标准的要求，锁定太阳能微转换器、太阳能串行式转换器以及电动汽车等绿色能源应用。

2012-10-29

安森美半导体新增九种高性能沟槽型场截止IGBT

安森美半导体扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性，这些产品中包含专门针对太阳能及不间断电源(UPS)应用高性能电源转换的器件。

2012-10-25

应急灯原理

应急灯主要分为：双头应急灯、手提应急灯、消防应急灯、 LED应急灯、节能应急灯、防爆应急灯、水下应急灯、可充电应急灯、太阳能应急灯、多功能应急灯。

2012-10-23

ST发布可承受950V峰值电压的MOSFET

ST推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏?？榇姹淦骱偷缍档嚷躺茉从τ谩?/p>

2012-10-22

Vishay发布1000V光伏太阳能电池板?；ふ髌?/a>

第二届太阳能光伏关键元器件技术研讨会报名启动

2012年，对中国光伏产业来说，注定不是平凡的。美国和欧盟的“双反”调查，让中国很受伤，经历重重考验，我国光伏产业提前遭遇行业洗牌的变革。根据最新发布的NPD Solarbuzz季度报告，2013年，全球贸易壁垒以及更多的行业洗牌将显着减少竞争对手，存在市场上的光伏组件厂商将有机会获取更大的市场份额。

2012-09-28

众目期待，美国Ascent Solar首次登陆中国电子展

科技技术，领先全球 Ascent Solar是总部位于美国科罗拉多州。是世界上唯一生产出以塑料基底的CIGS太阳能柔性薄膜电池板制造商。特性具有重量轻，弯曲角度大，转换率高，可实现直接配合现代建筑材料的应用相结合。且可为终端客户量身定做适用的产品。主要应用包括：建筑光伏一体化，电子便携光伏一体化产品(EIPV)、 国防、 太空和更多领域。

2012-09-21