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最新BGA内插器结合速度最快的逻辑分析仪进行DDR4探测
安捷伦日前宣布推出两款内插器解决方案，可结合逻辑分析仪用于测试 DDR4 和 DDR3 DRAM 设计。这两款内插器解决方案均能快速且精确地捕获地址、命令和数据信号，以进行设计调试和验证测量。
2014-05-19
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DRAM供应紧张 主流4GB DDR3模组价格半年来增长44%
在DRAM的核心PC市场持续疲软之际，服务器与移动产业抵消了PC需求的持续下滑，导致DRAM供应紧张，进而推动价格上涨。今年3月，主流4GB DDR3模组的价格从去年12月的16美元上升到了23美元。DRAM产业已经走出谷底，正在恢复增长。
2013-05-30
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Molex推出业内最低的底座面高仅1.10mm存储器技术
近日，Molex公司推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器?？椴遄纷楹稀３筒喔?span id="5n233hq" class='red'>DDR3 DIMM插座的底座面高仅1.10mm，为业内最低；并且压接插座的针孔型顺应引脚更小，有效节省了宝贵的PCB空间，适用于较高密度的电子线路设计。
2013-05-20
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【盘点】存储?？榱悠鳎阌枚粤寺?？
笔记本内存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM两种接口。Micro DIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。DDR3 SO-DIMM接口为204pin。如何选择，请看本文详细解读？
2013-01-09
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IDT推出最低功率DDR3内存缓冲芯片
IDT推出最低功率DDR3内存缓冲芯片MB3518，拥有独有的调试和验证特性，包括每个引脚和晶片示波器的支持和内置逻辑分析仪的采集以促进全缓冲 DIMM 拓扑技术的开发、验证和测试。这些特性对于 LRDIMM ?？樯系哪诖婊撼宓?DRAM 接口尤其重要，因为它是完全独立于主控制器和自动测试仪的。
2012-11-13
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ddr3和ddr2的区别
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装。
2012-07-04
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DDR3引领DRAM模组市场，完全占据主导地位
据IHS iSuppli公司的DRAM模组市场追踪报告，由于速度更快和功耗较低，DDR3技术在2012年初几乎完全统治了DRAM模组市场。
2012-05-03
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扩展探头带宽以提高信号保真度
由于存储器设计日趋复杂和紧凑，数据速率越来越高，使用BGA探头探测DDR DRAM越来越受欢迎并已成为一种需求。DDR3和DDR4数据速率从800MT/s增加到约3200MT/s。
2011-11-18
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七月上旬DRAM合约均价直逼金融风暴时期
根据集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange的调查，七月上旬合约价再度呈现下跌的价格走势，DDR3 2GB及4GB合约均价分别在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各为7.25%与7.46%，此价格已经逼近金融风暴时期的最低价格水位，从市场面来观察，由于三月日本地震过后，PC-OEM厂曾提升手上库存水位，以防出货发生断炼?；?，亦让五月合约价格起涨最高至19美元，但由于全球市场对于下半年PC出货数字趋向保守，PC-OEM厂亦纷纷调降出货目标，甚至六月部份合约客户取消原本要进货的数量，调降目前高达4-6周左右的库存水位，故七月上旬合约价方面，在PC-OEM客户采购意愿不高与DRAM厂有出货压力下，合约价格已转为买方主导，上旬合约价一路下探至15.5美元价位，七月下旬合价格不排除将继续探底。
2011-07-18
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Linear推出同步降压型稳压器LTC3634应用于DDR存储器供电
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、双通道单片同步降压型稳压器LTC3634，该器件为DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供电源和总线终端轨。
2011-07-05
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泰科电子推出超低型DDR3双列直插式內存模组插槽
泰科电子（TE）按照JEDEC工业标准推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代双倍数据速率（DDR3）双列直插式內存模组（DIMM）插槽。
2010-12-13
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2010年半导体设备产业将劲扬113.2%
Gartner副总裁Klaus Rinnen表示：技术升级，将带动 2010年半导体资本设备市场的成长。对40奈米和45奈米设备的需求大幅增加，带动晶圆代工的庞大资本支出。英特尔对3x奈米的投资，NAND 记忆体制造商支出增加，以及升级至下一世代 DDR3 DRAM 记忆体，皆为主要的投资成长动能。
2010-06-21
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