【导读】村田制作所开发出用于LTE智能手机的小型RF收发?？椋庾懊婊跣?成，其采用该公司的元件内置技术，使用树脂基板而非陶瓷基板实现了?？?，该?？榧闪薒TE收发信息所需要的RF收发器IC、功率放大器及前端?？榈龋琑F电路部分的定位是“全?？?rdquo;。
村田制作所试制出支持LTE的RF?？?，新型模块的投产时间未定，村田制作所表示，“此次制作试制品的目的是为了表明技术上完全可行”。 此次开发的RF?？橹?，RF收发器IC采用了富士通半导体生产的支持LTE的产品“MB86L10E”。为了支持LTE和W-CDMA使用的频带Band1/5/21和GSM使用的850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz，嵌入了支持各频带的功率放大器?？椤Ｋ淙磺度肓松鲜龈鞑考?，但?？榈耐庑纬叽缃鲇?4.5mm×10.3mm×3.0mm，比不采用元件内置技术时的封装面积减小了40％左右。虽然厚度还高达3mm，不过村田制作所表示“通过结合使用其他封装技术，还有可能进一步减薄”。
村田制作所在展区内演示了该?？榈氖导使ぷ髑榭觯⒐剂瞬ㄐ蔚?。在LTE模式下，发送功率为23dBm时，ACLR（相邻频道泄露比）平均为－37dB。
图1：试制的RF“全?？?rdquo;
图2：展板介绍
图3：会场展位上展示了用测量仪器观测到的波形
