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开关变压器第十四讲 分布电容分析
当输入脉冲电压的上升或下降率大于振荡波形的上升或下降率的时候，振荡回路就吸收能量，使输入脉冲波形的前、后沿都变差；而当输入脉冲电压的上升或下降率小于振荡波形的上升或下降率的时候，振荡回路就会释放能量，使电路产生振荡。如果振荡回路的品质因数比较高，电路就会产生寄生振荡，并产生EMI...
2009-08-07
开关变压器
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MSE1Px：Vishay具有高达25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD?；じ叽?5kV的系列低尺寸表面贴装整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
整流器 MSE1Px Vishay ESD
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振荡器特点分析
振荡器使用特点与制造工艺分析
2009-08-06
振荡器 石英音叉
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振动马达应用驱动电路
振动马达用于各种应用中，包括手机、游戏操纵杆、手持游戏机、寻呼机、牙刷及剔须刀等。本文介绍振动马达的结构，工作状态
2009-08-04
振动马达 柱型马达 A1442BLDC A1442
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开关变压器第十三讲 开关变压器漏感分析
任何变压器都存在漏感，但开关变压器的漏感对开关电源性能指标的影响特别重要。由于开关变压器漏感的存在，当控制开关断开的瞬间会产生反电动势，容易把开关器件过压击穿；漏感还可以与电路中的分布电容以及变压器线圈的分布电容组成振荡回路，使电路产生振荡并向外辐射电磁能量，造成电磁干扰。因...
2009-08-03
变压器
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Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
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OLED驱动电源解决方案
本文将讨论各种OLED技术和适当的偏压电源供应电路,而关于OLED技术和驱动方法的选择,也会影响电源供应电路的需求。工程师所面临的挑战为如何选择最适当的电源供应电路,以便支持电池供电型可携式装置,以及特定OLED显示器的需求。
2009-08-03
OLED驱动 被动矩阵 TPS65130 OLED显示器
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2009-2013我国年太阳能光伏市场预测
2008年，我国太阳能电池产量约占世界总产量的三分之一，连续两年成为世界第一大太阳能电池生产国。然而，我国光伏产品长期依赖海外市场，已成为障碍我国光伏产业健康发展的隐患，开启国内市场是发展光伏产业的必然选择。
2009-08-01
光伏 太阳能
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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