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SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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B1642：EPCOS电缆调制解调器用声表面波滤波器
爱普科斯(EPCOS)现可提供B1642声表面波（SAW）滤波器，用于接收宽带电视和接入因特网的电缆调制解调器。该产品专门针对国际第三代有线电缆数据业务接口规范（DOCSIS 3.0标准）而研发,这一规范将主要应用在美国和韩国。
2008-05-21
B1642 声表面波滤波器 SAW滤波器
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STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关
意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关
Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3μA)，从而能够实现高频切换。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT开关
Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E，可切换多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz)，允许采用单个连接器实现高性能的切换。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT开关
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SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列
意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二极管 diode 消费电子
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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DG系列：Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关
日前，Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路复用器与开关
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