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南方芯源在西安成立研发中心西安芯派
2008年8月18日,Samwin公司投资发起设立的西安芯派科技有限公司正式成立,主要从事MOSFET全新沟通工艺,电源管理IC及射频技术应用三个方面的产品研发。该中心的成立将进一步提高Samwin产品的技术先进度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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SiB41*DK / SiB911DK:Vishay PowerPAK SC-75封装功率MOSFET系列
Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列,该系列包括额定电压介于 8V~30V 的多个器件,这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
2008-08-20
SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 场效应管 MOSFET
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BTAxxx系列:安森美半导体隔离型三端双向可控硅开关元件
安森美半导体扩充高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC)产品系列,推出12款新的TRIAC,提供8、12和16安培(A)的可用额定功率,具有35和50毫安(mA)的门触发电流(Igt)。这BTAxxx系列器件非常适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。
2008-08-18
可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工业和控制应用
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298D系列:Vishay便携应用固体钽芯片电容器系列小封装产品
Vishay宣布扩展其 298D系列 MicroTan? 固体钽芯片电容器,推出0402 封装尺寸的298D。此电容器充分利用已获专利的MAP(多阵列封装)装配技术以扩展产品系列,现已可在超薄小型0402 K封装中提供4.7μF-4V至10μF-4V的电容电压。
2008-08-15
298D 钽电容器 便携应用
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微封装晶体管和二极管:安森美半导体便携应用产品
安森美半导体扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。
2008-08-12
晶体管 二极管 NZ9F 低正向压降肖特基二极管 齐纳二极管 便携应用
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EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器
爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器,其电容量范围介于0.1μF至1500μF,适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域,是钽电容器的价格合适的替代品。
2008-08-01
铝电解电容器
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MAX4800A/MAX4802A:Maxim 8通道超声应用高速开关
Maxim推出通过高速、20MHz串行接口控制的8通道、高压、低电荷注入SPST开关MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim专有的BCDMOS工艺,集高压、双向DMOS开关及低功耗CMOS逻辑特性于一体,从而实现通过低压控制信号对高压模拟信号的有效控制。
2008-07-30
MAX4800A MAX4802A 高速开关
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STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET
意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045:Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管
Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode
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