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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix发布具有业界最低导通电阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
MOSFET Vishay 导通电阻
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开关电源原理与设计(四)
本文介绍反转式串联开关电源的工作原理，反转式串联开关电源储能电感的计算方法，反转式串联开关电源储能滤波电容的计算方法。
2009-05-13
开关电源 反转式串联开关 储能电感 滤波电容
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开关电源原理与设计（三）
本文介绍了串联式开关电源储能滤波电感的计算方法、串联式开关电源储能滤波电容的计算方法。
2009-05-12
开关电源 陶显芳 储能滤波电容 储能滤波电感
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美汽车巨头加快汽车电池研发生产及联盟步伐
美国汽车电池制造商A123系统公司近日宣布，该公司已成功获美国通用电气（GE）公司注资6900万美元，主要投入研发与生产汽车锂电池和电池?？椤４司傧允久拦狄导涌煜蛐履茉雌档淖?。
2009-05-12
汽车电池 汽车锂电池 新能源汽车
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医疗影像设备高增长 元器件厂商频利好
即使在全球金融风暴的阴霾中，中国医疗影像设备市场依然将保持较快增长。
2009-05-12
经济?；?nbsp; 医疗影像设备 元器件
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电力电子业突破技术瓶颈任重道远
近年来，我国电力电子器件产业技术水平不断提高，应用领域日益广泛，已逐渐成为国民经济发展中基础性的支柱产业之一。随着电力电子器件产业日益受到国家的重视，国家对其生产企业和科研机构的扶持力度也在逐步加大。然而，在科研和产业化不断取得突破的同时，全行业仍面临诸多困难，尤其是关键技术...
2009-05-12
电力电子 IGBT IGCT 晶闸管 西安电力电子研究所
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三星加紧与中移动谈判力争获上网本高补贴
记者昨日从三星公司销售部门人士处获悉，三星公司正在加紧与中国移动谈判，以图其G3上网本能够像戴尔、惠普、海尔、同方、联想等厂家一样，获得高达2100元的用户补贴。
2009-05-11
三星 中国移动 G3上网本
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SBR10U200P5：Diodes推出高压超势垒整流器第一款器件
Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier，简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。
2009-05-11
整流器 Diodes 功率密度 电源适配器
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IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司(IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
2009-05-07
IRLS3034 HEXFET功率MOSFET
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