【导读】IR近日推出创新的IRFH4251D和IRFH4253D电源模块组件，它采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6mm PQFN封装，提供行业领先功率密度的新标准。该组件适用于DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本和笔记本电脑等。
IR近日推出首套创新的电源?？樽榧盗胁?mdash;—IRFH4251D和IRFH4253D，适用于DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。
新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR新一代硅技术和崭新的5x6 mm PQFN封装，提供功率密度的新标准。全新电源?？樽榧溆懈叨燃傻牡テ紽ETKY®，其创新的封装采用顶尖的翻模 (flipped-die) 技术，可以将同步MOSFET源直接连接到电路板的地线层以实现有效散热。由于具有更强的散热性能和功率密度，任何采用5x6 mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。全新封装还采用已在PowIRStage和SupIRBuck中广泛使用的IR专利技术单铜夹，以及经过优化的布线，有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震，这样设计师就可以用25V MOSFET代替效率较低的30V组件。
图1：IR Power Block
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IRFH4251D和IRFH4253D电源?？樽榧捎枚ゼ兜墓杓际鹾屯黄菩苑庾?，具有多项崭新功能，为高性能DC-DC开关应用提供行业领先的功率密度。这些组件采用更高效的布线，必可树立DC-DC双MOSFET的行业新标准。”
IRFH4251D和IRFH4253D针对5V栅极驱动应用进行了优化，给设计带来灵活性，可与各种控制器或驱动器结合使用。与采用两个分立式30V功率MOSFET的同类方案相比，能以较小占位面积实现更高的电流、效率和频率。
规格
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组件编号 |
封装 |
电流额定值 |
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IRFH4251D |
PQFN 5 X 6 |
45A |
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IRFH4253D |
PQFN 5 X 6 |
35A |
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