- 改善了电气特性、机械特性
- 同时实现了超小型化、轻量化、高效化
- 面向EV、HEV车（电动汽车、混合动力车）
- 应用于工业设备
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、HEV车（电动汽车、混合动力车）及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流?？?ldquo;APEI HT2000”。该?？橐桓拇车腟i?？榈纳杓?，由于最大限度地利用了SiC器件的特点，从而大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化、高效化，在SiC?？榈钠占吧下醭隽司薮蟮囊徊?。该模块共搭载了16个罗姆开发的SiC沟槽MOS，经验证可在600V/1000A条件下工作，而且实现了Si-IGBT不可能实现的数十纳秒的超高开关速度。不仅如此，这种?？榈氖褂梅段Ц叽?200V级。另外，在250℃的高温下亦可工作?；谡庑┨氐悖唤龃车腟i-IGBT?？?，现在正被广泛开发的SiC模块中，也成功开发出了电气性能和机械性能都很卓越的模块。该?？樵ぜ朴?012年开始面向特殊用途提供样品，3～4年后达到实际应用阶段。
近年来，在迅速发展的混合动力车(HEV)、电动汽车(EV)等所代表的电力电子领域，要求提供更高功率化、更高效化、更高温度条件下工作的元器件，而使用传统的Si材料是无法解决这些课题的，但通过使用材料性能卓越的SiC，可以满足这些要求。因此，电力电子市场的需求也从Si?？樽蚋咝iC?？?。
之前罗姆开发的超低电阻（约2mΩ?cm２）SiC沟槽MOSFET可通过单片承受100A级的电流。而此次，罗姆进一步成功的降低了MOSFET的门极电容，开关速度与现有的SiC-DMOS相比可提高50％，与罗姆以往的SiC沟槽MOS相比也提高了30％。但是，传统的?？椋嗽骷纳⑷?，确保元器件的工作温度，需要加大?？槊婊?，因此往往导致?？榈募纳绺性龃?。因此，即使搭载SiC沟槽MOS，由于模块本身的限制也无法有效发挥其特点。而此次APEI开发出了通过将?？榈拿婊⌒突?、进一步优化布局、大幅降低了寄生电感的?？?。另外，这种?？樯洗钤毓挡跰OS可承受1000A级水平的大电流，与传统的Si-IGBT?？橄啾?，可以减少一半导通电阻。此外，实现了开关时间仅需数十纳秒的超高速工作，与Si-IGBT相比成功将开关损耗降低到了1/3。不仅如此，由于所使用的材料变更为高性能材料，因此?？榈拿婊跎俚?0％，并同时实现了Si-IGBT不可能实现的高温（250℃）驱动。而且，根据端子的连接方法，可按半桥、全桥、串联进行选用。另外，还能搭载罗姆开发的所有的SiC器件，可进行满足客户规格要求的设计。
传统的SiC模块，仅需将Si模块所使用的Si器件更换为SiC器件即可实现高效化和高温化，但使用Si器件的?？樯杓浦?，无法最大限度的发挥材料性能卓越的SiC的特点。此次，通过大幅变更设计，优化使用SiC器件的?？椋晒⒊隽丝梢宰畲笙薅确⒒覵iC特点的?？椤?br />
＜主要特点＞
１）超轻量
２）超小型
３）大功率（1000A级）
４）高速开关
５）高温驱动
＜主要规格＞
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尺寸 |
7.5cm×8.13cm×1.23cm |
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重量 |
135g |
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额定电压 |
600V |
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额定电流 |
1000A |
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搭载器件 |
SiC沟槽MOSFET |
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导通电阻 |
1.5mΩ |
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开关时间 |
导通35ns/关断42ns |
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开关损耗 |
导通1.5mJ/关断 8mJ |
＜?？榈牡纪ㄌ匦裕?/strong>
