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高度2.4mm间距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
为配合2014年初英特尔将推出的Grantley服务器平台和Haswell服务器处理器，FCI快速开发出了284引脚表面贴装DDR4 DIMM插槽，间距仅为0.85毫米，高度仅为2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A标准。
2012-12-04
DDR4 FCI 连接器
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九个方法：降低移动电话非稳态噪声
语音质量对于移动电话用户来说很重要，影响语音质量的一个主要因素是环境噪声，因此任何抑制噪声的方法对于手机制造商来说都是一个实现差异化的机会。
2012-12-03
低移动电话 非稳态噪声
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C&K开发出智能手机用IP68等级30万次寿命微型开关
如果你正在设计超薄智能手机，但又不希望牺牲开关的性能和信号质量，那么推荐你考虑C&K Components最新开发出的顶部驱动的KLT系列pico开关，与现有的KMT系列nano开关相比，尺寸大幅缩小，封装等级高达IP68，开关寿命高达30万次，实为不可多得的理想之选。
2012-12-03
智能手机 微型开关 C&K
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降低EMI影响，手机D类放大器怎么设计？
由于在效率上相对于AB类放大器的巨大优势，D类放大器的应用越来越广泛。根据市场调研机构 Gartner的报告，D类放大器在2006年至2011年之间的复合年成长率将达15.6%，从3.34亿美元成长至6.88亿美元，主要的成长动力来自于功耗敏感及空间受限的消费类电子产品。但D类放大器开关输出的拓扑结构带来了高...
2012-12-03
降低 EMI 手机D类放大器
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降低EMI影响，手机D类放大器怎么设计？
由于在效率上相对于AB类放大器的巨大优势，D类放大器的应用越来越广泛。根据市场调研机构 Gartner的报告，D类放大器在2006年至2011年之间的复合年成长率将达15.6%，从3.34亿美元成长至6.88亿美元，主要的成长动力来自于功耗敏感及空间受限的消费类电子产品。但D类放大器开关输出的拓扑结构带来了高...
2012-12-03
降低 EMI 手机D类放大器
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Thunderbolt的ESD防护如何实现？
由于Thunderbolt是超高速的传输接口，在系统上属外露给使用者可以插拔的接口，必然是静电放电(ESD)破坏的高风险区，因此ESD防护方案在此是绝对必要的。但在额外加入的ESD防护组件设计时，又必须特别注意不可以影响到其超高速讯号的传输质量，这让ESD的防护又增加了挑战。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防护
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创造12.5Gb/s传输速率应用的新行业基准AirMax VS2连接器
FCI的无屏蔽式AirMax VS2连接器，为 12.5 Gb/s应用确立富有竞争力的行业基准。AirMax VS2协调了AirMax Vse带来的信号集成度（SI）和机械改进和创新特点，保留与AirMax VS的完全插入和配接能力，为用户带来更佳的成本优势。
2012-12-03
12.5Gb/s 基准 AirMax VS2 连接器
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0.8mm x 0.8mm封装的芯片级功率MOSFET
Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封装，在4.5V下导通电阻低至43m?，可使便携式电子产品变得更薄、更轻。
2012-12-03
0.8mm 芯片 MOSFET
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基于3G、智能手机电路?；ど杓剖钡姆桨秆≡窦捌骷员?/span>
伴随着半导体技术的高速发展和集成电路的广泛应用，各种电子设备不断朝着尺寸小型化、功能多样化和高度集成化方向发展。手机作为便携式电子产品，对尺寸的要求更苛刻，而随着3G 时代来临，未来的手机功能会更强大，各种功能?？榈募啥然岣撸庑┒际垢骼嘈酒褪芄缪沟哪芰ο陆?，从而对手机的...
2012-11-30
半导体 智能手机 电路防护
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