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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD?；ざ芏加邢嗤谋；ばЧ?？
本文针对目前所面临的找到一种具有成本效益的ESD解决方案的挑战，分析了ESD方面所需考虑的因素，提出了将电压箝位到更低水平的最优方案，接着并比较几种?；て骷贸霭采赖谋；て骷呔赫院陀旁叫?。
2008-10-23
ESD 保护二极管 箝位电压
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过压?；さ谋赣玫缏? 技巧和窍门
过压保护(OVP)器件用于?；ず笮缏访馐芩Ω涸鼗蛩布涓哐沟钠苹担谀承┨囟ǖ挠τ弥?，基本的过压?；さ缏凡蛔阋允と纹骷；さ囊螅ǔＳ幸韵铝街中枨?。第一，电路的最大输入电压可能增大；第二，适当修改电路，可以在发生过压或欠压时利用输出电容储能保持能量。本文讨论如何针对这两种需求修改...
2008-10-23
过压?；?nbsp; 电路 MOSFET
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过压?；さ谋赣玫缏? 技巧和窍门
过压?；?OVP)器件用于?；ず笮缏访馐芩Ω涸鼗蛩布涓哐沟钠苹担谀承┨囟ǖ挠τ弥?，基本的过压保护电路不足以胜任器件?；さ囊?，通常有以下两种需求。第一，电路的最大输入电压可能增大；第二，适当修改电路，可以在发生过压或欠压时利用输出电容储能保持能量。本文讨论如何针对这两种需求修改...
2008-10-23
过压保护 电路 MOSFET
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静电在LED显示屏生产过程中的危害及防护措施
如何规范化生产，如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 LED显示屏产品？本文仅从LED显示屏生产过程的静电防护角度，讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。
2008-10-23
静电 LED 防护措施 危害
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静电在LED显示屏生产过程中的危害及防护措施
如何规范化生产，如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 LED显示屏产品？本文仅从LED显示屏生产过程的静电防护角度，讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。
2008-10-23
静电 LED 防护措施 危害
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抑制耳机放大器RF噪音的两种方法
本文主要讨论抑制耳机放大器RF噪音的方法，提出了两种方法：通过屏蔽并缩短输入信号引线降低输入放大器的RF能量；选择具有RF抑制功能的放大器，使耦合到输出端的噪声最小。并以GSM手机为例具体阐释了这两种方法的实现。
2008-10-23
抑制RF噪音 音频放大器 屏蔽
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电子信息产业出口受制 发展后劲面临考验
随着十月华尔街金融风暴的加剧，我国电子信息产业的出口经受严峻考验。工业和信息化部日前在第十届高交会上发布的《2008年Q3季度中国电子信息产业经济运行公报》显示，电子信息产业今年前三季度经济运行保持平稳发展，但延续了过往几个季度增速放缓的态势，经济运行增速始终低于全国工业平均水平，...
2008-10-22
电子信息产业 通讯 计算机 家用视听业
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