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同步降压MOSFET 电阻比的正确选择
在本文中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。
2011-10-07
MOSFET 电阻比 同步降压MOSFET
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2011年1-8月电子信息产业固定资产投资情况
今年以来，在各地大力发展战略性新兴产业的带动下，电子信息产业固定资产投资保持高速增长，新开工项目明显增多，基础元器件领域投资领先增长，行业结构不断调整。主要特点为：增速持续保持高位，投资规模超过去年11个月水平；光电器件、新能源电池等领域新开工项目明显增多，带动全行业新开工项目...
2011-10-06
电子信息 电子信息产业
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NESG7030M04：瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管提供高水平噪声效能
瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04提供高水平噪声效能高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材...
2011-10-06
低噪声 晶体管 瑞萨电子 ISM频段
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TDK开发出可设置在IC芯片下方的超小型NTC热敏电阻
近日消息，据外媒报道，根据PCB市调机构Prisamark预估，PCB市场需求去年达1.47兆元，2015年需求可望再缔造另一个兆元规模，达2.02兆，其中传统板的需求比重将超过载板、HDI板，尽管市场规模动辄以千亿元单位计算，PCB厂多半选择退出，无人扩产反而成为新蓝海。
2011-10-06
PCB 半导体 通讯 HDI板
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多晶硅新合约明年拟触35美元
两岸太阳能市场近期传出，国际太阳能多晶硅大厂已开始针对新产能，推出2012年的新多晶硅合约，部分新合约价原则上每公斤低于40美元，近期传出2012年有机会达35美元，相较目前合约价平均50美元下降不少，但该价格似乎吸引力不足，下游太阳能业者表示，料源价格下滑走势甚为明显，不明白还有谁会再自...
2011-10-06
多晶硅 太阳能电池 发电量 多晶硅生产商
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压控振荡器在射频通信电路中的应用
随着通信技术的发展，通信设备所应用的频率日益提高，射频(RF)和微波(MW)电路在通信系统中得到了广泛应用，高频电路设计也得到工业界的特别关注，新型半导体器件制造技术的不断发展更使得高速数字系统和高频模拟系统的应用领域不断扩展。
2011-10-06
压控振荡器 射频 通信电路 高频模拟系统
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RF电路中如何选择LDO稳压器PSRR和噪声
LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低压差线性稳压器在10Hz至 100kHz频率范围内的输出噪声为30 μV(RMS)，在 1 kHz 的频率下电源抑制比(PSRR)高达73dB，它能够为诸如射频（RF）接收器和发送器、压控振荡器（VCO）和音频放大器等对噪声...
2011-10-06
LDO稳压器 PSRR 噪声 RF电路
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2011年硅磁传感器销售额预计增长24%
据IHS iSuppli公司的MEMS与传感器专题报告，汽车产业恢复生机，全球智能手机和平板电脑对于数字罗盘的需求上升，正在推动硅磁传感器市场加速增长，预计2011年销售额将上升23.7%。
2011-10-05
硅磁传感器 传感器 MEMS
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GSM/DCS双频段RF射频前端设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能，锐迪科的RDA6218就是采用这种结构。射频功率放大器管芯由原来的两个减少为一个，同时此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片?？?，组成 GSM/DCS双频段射频前端...
2011-10-05
GSM/DCS RF射频 射频功率放大器 输出匹配网络
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