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演讲嘉宾：李组精，技术经理

 

摘要：IPM（智能功率?？椋┫嘟嫌贗GBT，增加了驱动和多种保护功能，除了设计简便，系统集成度高，也提高了更高的可靠性。富士的第7代IPM，基于第7代IGBT和FWD芯片和封装技术，降低了损耗，并允许更高的操作结温。此外，第7代IPM载有最新的控制IC，首次在工业上实现温度预警功能，并新增单独控制逆变部分的?；さ榷嘀中鹿δ?。

这些新技术将有助于实现系统小型化，高性能和高可靠性。

 

02上海贺利氏工业技术材料有限公司

 

 

主题：基于碳化硅器件的电驱动系统先进封装解决方案

 

演讲嘉宾：张靖博士，贺利氏电子中国区研发总监

 

摘要：工作温度达到200°C，使用寿命要求10年以上，所有材料的性价比要尽可能高：新能源汽车、可再生能源、智能电网等新应用领域对电力电子器件提出了巨大的挑战。功率半导体行业正在经历一场由碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体引领的技术革命，以实现更高的功率密度和开关速率。然而，目前普遍应用的电力电子封装技术与解决方案已经无法满足如上所述的挑战和要求，甚至成为了限制宽禁带半导体发挥性能的瓶颈。因此，新一代封装材料与相匹配的解决方案已经成为宽禁带半导体革命成功的关键。需要在提升工作温度，降低寄生电感的同时，大幅提高系统可靠性。本场演讲将介绍一套针对碳化硅功率器件的完整封装解决方案。该方案采用贺利氏电子的新型封装材料，包括贺利氏银烧结材料、高可靠的金属陶瓷基板和Die Top System等。同时，还将分享该解决方案提高宽禁带封装性能的理论依据和极限。

 

03合肥科威尔电源系统股份有限公司

 

 

主题：功率半导体测试设备机遇与挑战

 

演讲嘉宾：唐德平、研究院院长

 

摘要：模块测试的自动化解决方案

 

04龙腾半导体股份有限公司

 

主题：新型功率器件在电动交通中的应用

 

演讲嘉宾：朱飞，龙腾半导体 技术应用中心经理

 

摘要：介绍国产功率器件在电动交通中的应用：详细解读功率器件静态、动态参数如何匹配应用要求，设计中容易出现的失效风险。SGT MOSFET在低速电动车的驱动器中的应用；

?SGT MOSFET在低压BMS中的应用；

?Super-junction MOSFET在高压BMS中的应用；

?Super-junction MOSFET在OBC及充电桩中的应用。

 

05安世半导体（?论坛赞助商?）

 

主题：高可靠性/高功率/高效率应用的氮化镓晶体管

 

演讲嘉宾：李琪， 安世半导体氮化镓晶体管首席应用工程师

 

摘要：氮化镓功率器件和创新CCPAK贴片封装介绍。

 

06 Power Intergrations Inc.

 

主题：简化可再生能源应用中的可扩展IGBT并联，SCALE-iFlex门极驱动器实现高效的?？榛浠黄魃杓?/div>