2011中国(西安)电子展即将开展 众厂商将亮相

　　碳化硅肖特基二极管thinQ！TM，是采用新TO-247HC(长爬电距离)封装的1200V碳化硅器件。这种新的封装方式完全兼容行业标准TO-247，因而可轻松用于现有设计，而无需付出额外努力。更长的爬电距离可提高系统安全性，有效防止由于系统内部灰尘或污垢导致的短路，特别是针对电弧，这样无需使用额外的化学(硅胶或硅霜)或机械(护套或箔)手段来避免封装引线之间存的在任何污染，从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。产品应用于太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等领域。

　　英飞凌素以提供适用于汽车(AEC Q101)的优质小信号MOSFET闻名于世。现在，其新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族，进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件，具备出色的单位面积RDSon，并且具有很低的Qg，可以实现更好的轻载效率。该产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装，特别适于强调节省空间、降低功耗的应用，可在电动汽车、混合动力汽车和外充电式混合动力汽车的电池能量控制?？?BECM)中发挥平衡作用。

　　英飞凌(Infineon)将携集成快速体二极管650V CoolMOSTMCFD2、中压系列OptiMOSTM、碳化硅肖特基二极管thinQ！TM和60V逻辑电平OptiMOS“606”系列小信号MOSFET等多款领先新品亮相今年的中国(西安)电子展。

　　650V CoolMOSTMCFD2，是全球第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管，这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更佳的换流功能，从而降低电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。该产品可将诸如太阳能设备、照明装置等能效提升至新的高度。

　　另一款新推出的60V至150V CanPAKTM，进一步完善了OptiMOSTM功率MOSFET产品阵容。利用该产品，电源系统工程师可以优化设计，实现更高能效和更好的散热性能，同时最大限度缩小占板空间。较之标准分立式封装，CanPAKTM金属“罐”结构有助于实现双面散热，并且几乎不会产生封装寄生电感。OptiMOSTM产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg，对于面向太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP追踪器等快速开关应用，很低的栅极电荷(Qg)意味着最低的开关损耗。

中国西部拥有极其丰富的太阳能、风能与水能资源，这无疑将催生出全球巨大的新能源和清洁能源市场。立足于西部的中国电子展近几年分别在西安与成都轮流举办，着力将新能源与清洁能源打造为展览的核心议题，吸引了不少有志于开发中国西部新能源与清洁能源市场的知名电子厂商。今年的2011中国(西安)电子展将于8月25～27日在西安曲江国际会展中心举办。