公司事件：
- Digi-Key现在正在库存面向通用微波应用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶体管
行业影响：
- 是高效率、多倍频带宽性能方面微波应用的理想选择
- 占位面积较小的封装中可提供高达6GHz的高频率、高增益及低寄生电容
日前，Digi-Key Corporation与Cree, Inc.共同宣布，Digi-Key现在正在库存面向通用微波应用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶体管。Digi-Key的Cree产品系列包括SiC功率元件、SiC MESFET、高亮度与高功率LED以及现在还包括的GaN HEMT晶体管。
功率水平介于10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶体管是需要高效率、多倍频带宽性能方面微波应用的理想选择。这些晶体管在占位面积较小的封装中可提供高达6GHz的高频率、高增益及低寄生电容。这可实现更小、更亮且能效更高的系统，与采用其他微波晶体管技术相比，这些系统通常所需的放大器元件数较少。
