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飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

发布时间:2010-04-27 来源:电子元件技术网

新闻事件:
  • 飞兆半导体和英飞凌宣布达成功率MOSFET兼容协议
行业影响:
  • 保证供货稳定性
  • 满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求

全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

兼容协议旨在保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术,为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。

飞兆半导体低压产品高级副总裁John Bendel称:“飞兆半导体和英飞凌实现了引脚输出的标准化,并在性能水平方面相辅相成,为客户提供两个供货来源以满足计算、电信和服务器市场对高效率设计的需求。这一揽子协议(package alignment)的目的是通过多个来源和行业标准封装,为客户提供性能领先的产品。”

英飞凌科技低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示:“我们不单通过减少市场上的‘独有’封装种类,能够使客户从功率产品封装的标准化中获益,还能够以相较上一代产品更小的占位面积,带来提升效能水平的解决方案。”
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