【导读 】RS-485接口链路需要在恶劣电磁环境下工作,雷击、静电放电和其他电磁现象引起的大瞬变电压可能损坏通信端口。本文介绍各主要瞬变类型,并针对RS-485通信端口的三种不同成本/?;ぜ侗?,提出并演示三种不同的EMC兼容解决方案。
瞬变保护
设计瞬变?;さ缏肥保杓迫嗽北匦肟悸且韵轮饕孪睿?/div>
1、该电路必须防止或限制瞬变引起的损坏,并允许系统恢复正常工作,性能影响极小。
2、?;し桨赣Φ狈浅?煽?,足以处理系统在实际应用经受到的瞬变类型和电压水平。
3、瞬变时长是一个重要因素。对于长时间瞬变,热效应可能会导致某些?;し桨甘?。
4、正常条件下,?;さ缏凡坏酶扇畔低吃诵小?/div>
5、如果?;さ缏芬蛭αΧ?,它应以?;は低车姆绞绞А?/div>
图5显示一个典型?;し桨福涮卣魇蔷哂辛街乇;ぃ褐鞅;ず痛渭侗;?。主保护可将大部分瞬变能量从系统转移开,通常位于系统和环境之间的接口。它旨在将瞬变分流至地,从而消除大部分能量。
次级?;さ哪康氖潜;は低掣鞲霾考?,使其免受主?;ぴ市硗ü娜魏嗡蔡缪购偷缌鞯乃鸹怠K呕?,确保能够抵御残余瞬变影响,同时允许系统的敏感部分正常工作。主?;ず痛渭侗;さ纳杓票匦胗胂低矷/O协同工作,从而最大程度地降低对受?;さ缏返难沽?,这点很重要。主?;て骷氪渭侗;て骷湟话阌幸桓鲂髟绲缱杌蚍窍咝怨鞅;て骷?,用以确保二者协同应对瞬变。

图5:?;し桨缚蛲?/div>
RS-485瞬变抑制网络
就特性而言,EMC瞬态事件在时间上会有变化,因此?;ぴ匦刖哂卸阅?,而且其动态特性需要与受保护器件的输入/输出极相匹配,这样才能实现成功的EMC设计。器件数据手册一般只包含直流数据,由于动态击穿和I/V特性可能与直流值存在很大差异,因此这些数据没有太多价值。必须进行精心设计并确定特性,了解受?;て骷氖淙?输出级的动态性能,并且使用?;ぴ?,才能确保电路达到EMC标准。
图6所示电路显示了三种不同的完整的EMC兼容解决方案。每个解决方案都经过独立外部EMC兼容性测试公司的认证,各方案使用精选的Bourns外部电路保护元件,针对ADI公司具有增强ESD保护性能的ADM3485E 3.3 V RS-485收发器提供不同的成本/?;ぜ侗?。所用的Bourns外部电路?;ぴㄋ蔡缪挂种破?CDSOT23-SM712)、瞬态闭锁单元(TBU-CA065-200-WH)、晶闸管电涌?;て?TISP4240M3BJR-S)和气体放电管(2038-15-SM-RPLF)。
每种解决方案都经过特性测试,确保?;ぴ亩琁/V性能可以?;DM3485E RS-485总线引脚的动态I/V特性,使得ADM3485E输入/输出级与外部?;ぴ婪端脖涫录?/div>

图6:三个EMC兼容ADM3485E电路(原理示意图,未显示所有连接)
?;し桨?
前面说过,EFT和ESD瞬变具有相似的能量水平,而电涌波形的能量水平则高出三到四个数量级。针对ESD和EFT的?;た赏ü嗨品绞绞迪郑攵愿叩缬考侗鸬谋;そ饩龇桨冈蚋丛?。第一个解决方案提供四级ESD和EFT?;ぜ岸兜缬勘;?。本文描述的所有电涌测试都使用1.2/50 μs波形。
此解决方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712瞬变电压抑制器(TVS)阵列,它包括两个双向TVS二极管,非常适合?;S-485系统,过应力极小,同时支持RS-485收发器上的全范围RS-485信号和共模偏移(–7 V至+12 V)。表1显示针对ESD、EFT和电涌瞬变的电压?;ぜ侗?。
表1:解决方案1?;ぜ侗?/div>
TVS是基于硅的器件。在正常工作条件下,TVS具有很高的对地阻抗;理想情况下它是开路。?;し椒ㄊ墙蔡贾碌墓贵槲坏降缪瓜拗怠U馐峭ü齈N结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬态电压时,TVS会将瞬态箝位到小于?;て骷幕鞔┑缪沟脑ざㄋ?。瞬变立即受到箝位(< 1 ns),瞬态电流从受保护器件转移至地。
重要的是要确保TVS的击穿电压在受?;ひ诺恼9ぷ鞣段е?。CDSOT23-SM712的独有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非对称击穿电压,与+12 V至–7 V的收发器共模范围相匹配,从而提供最佳保护,同时最大程度减小对ADM3485E RS-485收发器的过压应力。

图7:CDSOT23-SM712 I/V特性
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?;し桨?
上一解决方案可提供最高四级ESD和EFT?;?,但只能提供二级电涌保护。为了提高电涌保护级别,保护电路变得更加复杂。以下保护方案可以提供最高四级电涌?;ぁ?/div>
CDSOT23-SM712专门针对RS-485数据端口设计。以下两个电路基于CDSOT23-SM712构建,提供更高级别的电路保护。CDSOT23-SM712提供次级保护,而TISP4240M3BJR-S提供主保护。主从保护器件与过流?;ぶ涞男魍ü齌BU-CA065-200-WH完成。表2显示使用此?;さ缏返腅SD、EFT和电涌瞬变?;さ缪辜侗?。

表2:解决方案2?;ぜ侗?/div>
当瞬变能量施加于保护电路时,TVS将会击穿,通过提供低阻抗的接地路径来保护器件。由于电压和电流较高,还必须通过限制通过的电流来?;VS。这可采用瞬态闭锁单元(TBU)实现,它是一个主动高速过流?;ぴ?。此解决方案中的TBU是Bourns TBU-CA065-200-WH。
TBU可阻挡电流,而不是将其分流至地。作为串联元件,它会对通过器件的电流做出反应,而不是对接口两端的电压做出反应。TBU是一个高速过流?;ぴ?,具有预设电流限值和耐高压能力。当发生过流,TVS由于瞬态事件击穿时,TBU中的电流将升至器件设置的限流水平。此时,TBU会在不足1 μs时间内将受保护电路与电涌断开。在瞬变的剩余时间内,TBU保持在受?;ぷ韪糇刺挥屑〉牡缌?<1 mA)通过受?;さ缏?。在正常工作条件下,TBU具有低阻抗,因此它对正常电路工作的影响很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬变能量。在瞬态事件后,TBU自动复位至低阻抗状态,允许系统恢复正常工作。
与所有过流保护技术相同,TBU具有最大击穿电压,因此主?;て骷匦塍槲坏缪?,并将瞬变能量重新引导至地。这通常使用气体放电管或固态晶闸管等技术实现,例如完全集成电涌?;て?TISP)。TISP充当主?;て骷5背湓ざㄒ灞;さ缪故?,它提供瞬态开路低阻抗接地路径,从而将大部分瞬变能量从系统和其他保护器件转移开。
TISP的非线性电压-电流特性通过转移产生的电流来限制过压。作为晶闸管,TISP具有非连续电压-电流特性,它是由于高电压区和低电压区之间的切换动作而导致的。图8显示了器件的电压-电流特性。在TISP器件切换到低电压状态之前,它具有低阻抗接地路径以分流瞬变能量,雪崩击穿区域则导致了箝位动作。在限制过压的过程中,受?;さ缏范淘荼┞对诟哐瓜?,因而在切换到低压?;さ纪ㄗ刺埃琓ISP器件处在击穿区域。TBU将?;は掠蔚缏罚乐褂捎谡庵指叩缪沟贾碌母叩缌髟斐伤鸹?。当转移电流降低到临界值以下时,TISP器件自动复位,以便恢复正常系统运行。
如上所述,所有三个器件与系统I/O协同工作来?;は低趁馐芨叩缪购偷缌魉脖溆跋臁?/div>

图8:TISP切换特性和电压限制波形
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常常需要四级以上的电涌保护。此保护方案可?;S-485端口免受最高6 kV电涌瞬变的影响。它的工作方式类似于?;そ饩龇桨?,但此电路采用气体放电管(GDT)取代TISP来?;BU,进而?;ご渭侗;て骷VS。GDT将针对高于前一种?;せ浦兴鯰ISP的过压和过流应力提供?;ぁ4吮;し桨傅腉DT是Bourns公司的2038-15-SM-RPLF。TISP额定电流为220 A,而GDT每个导体的额定电流为5 kA。表3显示此设计提供的?;ぜ侗稹?/div>
表3:解决方案3?;ぜ侗?/div>
GDT主要用作主保护器件,提供低阻抗接地路径以防止过压瞬变。当瞬态电压达到GDT火花放电电压时,GDT将从高阻抗关闭状态切换到电弧模式。在电弧模式下,GDT成为虚拟短路,提供瞬态开路电流接地路径,将瞬态电流从受?;て骷献瓶?。
图9显示GDT的典型特性。当GDT两端的电压增大时,放电管中的气体由于产生的电荷开始电离。这称为辉光区。在此区域中,增加的电流将产生雪崩效应,将GDT转换为虚拟短路,允许电流通过器件。在短路事件中,器件两端产生的电压称为弧电压。辉光区和电弧区之间的转换时间主要取决于器件的物理特性。
图9:GDT特性波形
结论
本文说明了处理瞬变抗扰度的三种IEC标准。在实际工业应用中,RS-485通信端口遇到这些瞬变时可能遭到损坏。EMC问题如果是在产品设计周期后期才发现,可能需要重新设计,导致计划延迟,代价巨大。因此,EMC问题应在设计周期开始时就予以考虑,否则可能后悔莫及,无法实现所需的EMC性能。
在设计面向RS-485网络的EMC兼容解决方案时,主要难题是让外部?;ぴ亩阅苡隦S-485器件输入/输出结构的动态性能相匹配。
本文介绍了适用于RS-485通信端口的三种不同EMC兼容解决方案,设计人员可按照所需的?;ぜ侗鹧≡癖;し桨?。EVAL-CN0313-SDPZ是业界首个EMC兼容RS-485客户设计工具,针对ESD、EFT和电涌提供最高四级保护。表4总结了不同保护方案提供的?;ぜ侗稹K淙徽庑┥杓乒ぞ卟荒苋〈璧南低臣堆细衿拦篮妥ㄒ底手?,但能够让设计人员在设计周期早期降低由于EMC问题导致的项目延误风险,从而缩短产品设计时间和上市时间。欲了解更多信息,请访问www.analog.com/zh/RS485emc

表4:三种ADM3485E EMC兼容解决方案
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