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系统启动时，要保证先开通半桥的下桥臂IGBT，这样自举电容能够被充电到上桥臂所需的驱动电压的额定值。否则可能会导致不受控制的开关状态和/或错误产生。

自举电容器C1的容量必须足够大，这样可以在一个完整的工作循环内满足上部驱动器的能量要求。

自举电容器的电压不能低于最小值，否则就会出现低压闭锁保护。

最初给自举电容器充电时,可能出现很大的峰值电流。这可能会干扰其他电路。因此建议用个小电阻Rb来限制电流。

一方面，自举二极管必须快，因为它工作的频率和IGBT是一样的，一般用超快恢复二极管，如果功率器件是SiCMOS话这个二极管可能需要SiC二极管；另一方面，它必须有足够大的耐压，至少和IGBT的阻断电压一样大。这就意味着，600V/1200V的IGBT，就必须选择600V/1200V的自举二极管。在选择二极管的时候，考虑到其额定电压和开关频率，二极管的封装必须保证足够大的电气间隙和爬电距离。

当选择驱动电源电压时，要考虑自举电路的损耗，必须考虑驱动器内部电压降以及自举二极管VDb和电阻Rb的压降，还必须减去下桥臂IGBT VT2的饱和电压。最终的自举电压要保证上管IGBT栅极电压不能太低而导致开通损耗增加（因为电压UCEsat增加）。

上下驱动器的供电电压都是USupply。然而，上桥臂驱动器的供电电压需要减去上文提到的电压，这样导致上桥臂的IGBT VT1驱动电压总是要比下桥臂VT2要低，是在不同的正向栅极电压下开通的。因此，电压USupply选取应当保证VT1有足够的栅极电压，并且同时VT2的栅极电压也不会变得太高。

对于自举电容器，应该选用低等效串联电阻ESR和等效串联电感ESL的电容器(比如陶瓷电容)，这样可以有效为驱动提供脉冲电流。根据需要和应用环境，也可以选用高容量的电容(比如电解电容)与这些电容并联使用。相比陶瓷电容，电解电容具有更高的ESR和ESL值，所以建议并联陶瓷电容。通常，这一设计原则也适用于下桥臂驱动器的缓冲电容C2。