- 探讨IGBT?？榈淖饔?/strong>
- 对散热风扇应定期进行检查
- 在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器
1 IGBT?？榧蚪?/strong>
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
图1 IGBT的等效电路
2 IGBT?？榈难≡?/strong>
IGBT?？榈牡缪构娓裼胨褂米爸玫氖淙氲缭醇词缘绲缭吹缪菇裘芟喙?。其相互关系见下表。使用中当IGBT?？榧缂缌髟龃笫?，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
3 使用中的注意事项
由于IGBT?？槲狹OSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用?？槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
2. 在用导电材料连接?？榍俗邮?，在配线未接好之前请先不要接上?？?；
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正?；蛘ぜ芈匪鸹凳?栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT?？榧渫磕ǖ既裙柚Ｒ话闵⑷绕撞堪沧坝猩⑷确缟?，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT?？榉⑷龋⑸收?。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT?？榈牡胤桨沧坝形露雀杏ζ鳎蔽露裙呤苯ň蛲Ｖ笽GBT?？楣ぷ?。
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4 保管时的注意事项
1. 一般保存IGBT?？榈某∷?，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT?？楸砻婵赡苡薪崧端南窒螅虼薎GBT?？橛Ψ旁谖露缺浠闲〉牡胤剑?br />
4. 保管时，须注意不要在IGBT?？樯隙逊胖匚?；
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
5 结束语
IGBT?？橛捎诰哂卸嘀钟帕嫉奶匦?，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT?？樾阅?，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。
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