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eFuse如何帮助提供强大的工业电源路径保护

发布时间:2021-02-10 责任编辑:wenwei

【导读】任何电子系统经常遭受恶劣的环境和威胁,如静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷电浪涌。电源设计人员必须优先考虑电路?;?/a>以防止系统故障,特别是对于具有24V电源轨的工业应用。
 
电路?;し桨改芄槐;さ缭春驼鱿低趁馐苤钊绻缌?、短路、输入浪涌电流、过电压、欠电压、输入反极性保护(通常称为误配线)和反向电流阻塞的事件的影响。
 
在本博客中,我将概述几种强大的工业电源路径保护方法,包括离散实现、热插拔和ORing控制器法及集成实现。
 
离散实现
 
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图1:离散?;し桨?/div>
 
离散实现方案是功率路径中使用?;し桨傅淖畲车墓β事肪侗;し绞?,图1展示一个示例。
 
离散实现使用串联功率二极管来?;は低趁馐芊醇裕ㄎ笈湎撸┖头聪虻缌?。若电路吸收2A的电流,它在二极管上消耗约1W的功率,这将增加电路板温度。谐振电路(L-C)滤波器和多个TVS二极管在浪涌测试期间控制输入线瞬变(国际电工委员会(IEC)61000-4-5)。
 
该实现利用PFET(高侧开关)及双极结型晶体管BJT、运算放大器、齐纳二极管、电阻器和电容器来满足所有?;ひ?。该系统解决方案体积大,并且具有更大的物料清单(BOM)计数。此外,该实现不涉及热关断保护和电流限制精度随温度的变化。
 
通过使用传统的保险丝,离散实现?;は低趁馐芏搪肥录6搪菲诩?,熔断器需要几毫秒到几秒钟的时间来断开,这可能会损坏负载。请务必查看我的同行的博客,了解有关保险丝升级的更多信息。
 
热插拔与ORing控制器法 
 
 
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图2:控制器+ MOSFET?;し桨?/div>
 
如图2所示的电源保护的另一种常见方法是使用热插拔控制器和ORing控制器。该方案使用外部FET,使设计更高效可靠。不幸的是,这种实现仍然存在挑战,如控制外部FET、外部感测电阻,及实现用于输入反极性?;さ母郊拥缏?。由于外部FET架构,此实现难以管理热和安全操作区域(SOA)?;?。尽管该解决方案优于离散实现,但它不适用于诸如输入/输出(I / O)模块的空间受限系统。
 
集成实施(eFuse) 
 
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图3:集成?;し桨?/div>
 
另一方面,如图3所示,假设除了一些组件(如瞬态电压抑制器(TVS)二极管、电阻和电容)外,您的整个离散实现在一个集成器件中消失。这真的很酷,不是吗?eFuse通常将上述所有?;すδ芗傻降ジ錾璞钢?,极其有效且在设计时无需花费过多时间。除了电源路径?;ね?,EFuses还集成了电压、电流监控和故障指示等功能,用于系统诊断。
 
FET的SOA?;ず颓看蟮娜缺;と繁Fuse的保护以及恶劣环境中的负载。它也适用于空间受限应用,因为集成有助于将系统解决方案减少到一半以上。
 
这些类型的解决方案之一是TPS2660,业界首款60V背靠背FET集成eFuse。您的新设计中绝对值得考虑这一设备,因为它支持防冲击电流、过流、短路、输入反极性?;ぃㄎ蠼酉撸?、过电压和欠电压条件的?;?。它还提供用于系统诊断的电流监视和故障指示。集成60V背对背FET架构使您能够设计可靠电路,并?;じ涸孛馐芄ひ当曜疾馐?,如浪涌(IEC 61000-4-5)、EFT(IEC 61000-4-4),及符合IEC 61131-2的电压骤降和中断测试。
 
稳健和高效的电源?;し桨付杂诘缱酉低成杓浦凉刂匾?。使用集成?;ど璞?,设计人员可以更简单,更高效地创建自己的系统,且可更快上市。若您的设计针对24V电源轨使用电源路径?;ぃ上热艘徊?,通过输入保护和备用电源参考设计,开始设计25W PLC控制器单元。
 
 
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